[發(fā)明專利]金屬靜電粉末噴涂前硅烷處理工藝方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810047761.7
• 申請日: 2008-05-20
• 公開（公告）號: CN101318174A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 榮光;李新立;李安忠;萬軍;葉法軍;米德偉;張?zhí)禊i;劉海峰;韓琳;王子建;許朝玉;劉紀(jì)運(yùn);付文龍;霍冬枝;葉蕾;殷雄智;王群;張鳳英;譚伍永;霍瑩;鄭麗紅;孫少朋;李小麗;周振芳
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢材保表面新材料有限公司
• 主分類號: B05D1/06
• 分類號: B05D1/06;B05D3/00;B05D7/24;C23C22/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬靜電粉末噴涂前處理工藝方法，工藝流程包括①脫脂；②水 洗；④硅烷處理；④烘干；⑤粉末噴涂；⑥烘干。其中硅烷處理劑其特 征是以有機(jī)硅烷、乙酸以及乙醇為主要原料的金屬靜電粉末噴涂前處理 藥劑，其成分組成重量比為：

乙烯基三乙氧基硅烷：1％-3％??氨丙基三乙氧基硅烷：1％-2％

丙基三乙氧基硅烷：0％-1％????異氰酸丙基三乙氧基硅烷：0.5％-1.5％

乙醇：4％-8％????????????????乙酸：0.4％-1.2％

其余是去離子水。

2.本發(fā)明適用處理的金屬包括：冷軋鋼、熱軋鋼、鍍鋅鋼、鋁及鋁合金。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的乙烯基三乙氧基硅烷可用結(jié)構(gòu)通式如下乙烯基硅烷代替。

式中R₁、R₂、R₃取自C₁-C₄烷基，R₁、R₂、R₃要求相同數(shù)量烷基取代 基。R₄取自C₀-C₆烷基。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的氨丙基三乙氧基硅烷可用結(jié)構(gòu)通式如下氨基硅烷代替。

式中R₁、R₂、R₃取自C₁-C₄烷基，R₁、R₂、R₃要求相同數(shù)量烷基取代 基。R₄取自C₁-C₆烷基。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的丙基三甲氧基硅烷可用結(jié)構(gòu)通式如下三烷氧基硅烷代替。

式中R₁、R₂、R₃取自C₁-C₄烷基，R₁、R₂、R₃要求相同數(shù)量烷基取代 基。R₄取自C₃-C₆烷基。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的異氰酸丙基三乙氧基硅烷可用結(jié)構(gòu)通式如下異氰酸基硅烷代替。

式中R₁、R₂、R₃取自C₁-C₄烷基，R₁、R₂、R₃要求相同數(shù)量烷基取代 基。R₄取自C₃-C₆烷基。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的乙醇可用丙三醇或異丙醇代替。