[發明專利]金屬靜電粉末噴涂前硅烷處理工藝方法無效
| 申請號： | 200810047761.7 | 申請日： | 2008-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN101318174A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發明（設計）人： | 榮光;李新立;李安忠;萬軍;葉法軍;米德偉;張天鵬;劉海峰;韓琳;王子建;許朝玉;劉紀運;付文龍;霍冬枝;葉蕾;殷雄智;王群;張鳳英;譚伍永;霍瑩;鄭麗紅;孫少朋;李小麗;周振芳 | 申請（專利權）人： | 武漢材保表面新材料有限公司 |
| 主分類號： | B05D1/06 | 分類號： | B05D1/06;B05D3/00;B05D7/24;C23C22/48 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 430034*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 靜電 粉末 噴涂 硅烷 處理 工藝 方法 | ||
1.一種金屬靜電粉末噴涂前處理工藝方法，工藝流程包括①脫脂；②水 洗；④硅烷處理；④烘干；⑤粉末噴涂；⑥烘干。其中硅烷處理劑其特 征是以有機硅烷、乙酸以及乙醇為主要原料的金屬靜電粉末噴涂前處理 藥劑，其成分組成重量比為：
乙烯基三乙氧基硅烷：1％-3％??氨丙基三乙氧基硅烷：1％-2％
丙基三乙氧基硅烷：0％-1％????異氰酸丙基三乙氧基硅烷：0.5％-1.5％
乙醇：4％-8％????????????????乙酸：0.4％-1.2％
其余是去離子水。
2.本發明適用處理的金屬包括：冷軋鋼、熱軋鋼、鍍鋅鋼、鋁及鋁合金。
3.根據權利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的乙烯基三乙氧基硅烷可用結構通式如下乙烯基硅烷代替。
式中R1、R2、R3取自C1-C4烷基，R1、R2、R3要求相同數量烷基取代 基。R4取自C0-C6烷基。
4.根據權利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的氨丙基三乙氧基硅烷可用結構通式如下氨基硅烷代替。
式中R1、R2、R3取自C1-C4烷基，R1、R2、R3要求相同數量烷基取代 基。R4取自C1-C6烷基。
5.根據權利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的丙基三甲氧基硅烷可用結構通式如下三烷氧基硅烷代替。
式中R1、R2、R3取自C1-C4烷基，R1、R2、R3要求相同數量烷基取代 基。R4取自C3-C6烷基。
6.根據權利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的異氰酸丙基三乙氧基硅烷可用結構通式如下異氰酸基硅烷代替。
式中R1、R2、R3取自C1-C4烷基，R1、R2、R3要求相同數量烷基取代 基。R4取自C3-C6烷基。
7.根據權利要求1所述的硅烷處理劑，其特征在于該硅烷處理劑的組分中 的乙醇可用丙三醇或異丙醇代替。
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