[發(fā)明專利]一種靜態(tài)隨機訪問存儲器的存儲單元

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810047681.1
• 申請日: 2008-05-12
• 公開（公告）號: CN101315810A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余國義;鄒雪城;雷鑑銘;劉冬生;陳曉飛;余凱;龍爽;陳云武;王偉旭;陳越;陳龍
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心
• 代理人: 曹葆青

1、一種靜態(tài)隨機訪問存儲器單元，包括鎖存電路(1)和位選擇電路(2)，其特征在于：該單元還包括單擲開關(guān)電路(3)，單擲開關(guān)電路(3)的兩端分別接鎖存電路(1)的第一數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)和第二數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機訪問存儲器單元，其特征在于：單擲開關(guān)電路(3)為一個MOS晶體管開關(guān)。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜態(tài)隨機訪問存儲器單元，其特征在于：單擲開關(guān)電路(3)為本征MOS管、耗盡型PMOS管或低閾值PMOS管。

4、根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的靜態(tài)隨機訪問存儲器單元，其特征在于：鎖存電路(1)包括NMOS管T1和T3以及PMOS管T2和T4，位選擇電路(2)包括NMOS管T5和T6；兩個PMOS管T2和T4是負載管，其源極相連，接電壓VDD；兩個NMOS管T1和T3為存儲管，PMOS管T2和NMOS管T1的漏極相連，接第一數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)，PMOS管T4和NMOS管T3的柵極相連，也接第一數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)；PMOS管T4和NMOS管T3的漏極相連，接第二數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)，PMOS管T2和NMOS管T1的柵極相連，也接第二數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)；NMOS管T1和T3的源極連接到地，NMOS管T5和T6的柵極相連，接第一字線(WL1)信號；NMOS管T5的源極接第一數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)，漏極接第一位線(BL1)；NMOS管T6的源極接第二數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)，漏極接第一互補的位線(BL1)。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜態(tài)隨機訪問存儲器單元，其特征在于：位選擇電路(2)還包括NMOS管T9，NMOS管T9為隔離管，NMOS管T9的漏極接NMOS管T6的源極，NMOS管T9的柵極接第二數(shù)據(jù)存儲節(jié)點X，源極連接地；NMOS管T1的源極連接到寫預(yù)充電信號線PL。

6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜態(tài)隨機訪問存儲器單元，其特征在于：位選擇電路(2)還包括PMOS管T10和T11，PMOS管T10的源極接第一數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)，漏極接第二位線(BL2)；PMOS管T11的源極接第二數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(X)，漏極接第二互補的位線(BL2)，PMOS管T10和T11的柵極連接，接第二字線(WL2)。