[發明專利]允許覆蓋的閃存均勻磨損循環隊列技術

有效

• 申請號: 200810047508.1
• 申請日: 2008-04-29
• 公開（公告）號: CN101266573A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 袁行船
• 申請（專利權）人: 中國船舶重工集團公司第七〇九研究所
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 武漢金堂專利事務所
• 代理人: 胡清堂

1.一種允許覆蓋的閃存均勻磨損循環隊列方法，其特征在于：設置 一個記錄點或稱之為寫指針Rcp和一個讀點或稱之為讀指針Rdp，均存入 NorFlash中；從隊列角度來說，在循環隊列里面，記錄點永遠要跑在讀點 的前面，但不能再次超過讀點；因此而采取的處理方法如下：

(1)非覆蓋情形下，如果出現記錄點大于讀點，由于記錄點必須跑在前 面，但是不能再次超過讀點，因此NandFlash上存在可讀的數據，可讀空 間Rdsize大小為記錄點與讀點之差，可記錄空間Rcsize為除去這個可讀之外 的所有空間，Maxsize為整個NandFlash的物理空間大小，即 Rdsize＝Rcp-Rdp以及Rcsize＝Maxsize-(Rcp-Rdp；如果出現記錄點小于讀 點，由于記錄點必須跑在前面，但是不能再次超過讀點，因此記錄點小于 讀點的情況下，很顯然數據記錄點已經走過了NandFlash的最高地址，又 重新從0地址開始了，NandFlash上可記錄的空間大小為讀點與記錄點之 差，可讀空間為除去這個可記錄之外的所有區域，即：Rcsize＝Rdp-Rcp以 及Rdsize＝Maxsize-(Rdp-Rcp)；在非覆蓋情形下進行均勻磨損時，則讀點不 會改變，直接按照隊列順序記入記錄點擦除一塊，然后向NandFlash記錄 數據，記錄完畢之后，將記錄點Rcp記入NorFlash即可；如果是導出 NandFlash數據，則讀點會被更改，也按照隊列的順序一塊塊導出 NandFlash數據，同樣導出之后，記入讀點Rdp即可；

(2)如果讀點和記錄點的值相同，它們指向同一個單元，在沒有覆蓋之 前，由于記錄點沒有跑在讀點之前，因此讀點讀不到數據，也就意味著 NandFlash不存在數據可以導出，但是記錄的時候可以寫入整個NandFlash 空間；記錄點和讀點相同意味著記錄空間為整個NandFlash空間，若收回 NandFlash空間，只需要巧妙的將讀點和記錄點賦予一個值就可以了，但 是基于均勻磨損考慮，希望沿著循環隊列，從NandFlash現在的位置開始 進行記錄，因此回收空間操作僅僅修改讀點值，將記錄點的值賦予給讀點 即可；然后從記錄點指向的NandFlash現有的位置繼續進行記錄、擦除操 作；

(3)當記錄點再次超過讀點的時候，那么這個時候就會有數據被覆蓋 的，此時需要對讀點往前移動；考慮到NandFlash必須擦除一個塊的數據， 因此需要將讀點移到下一個數據塊的起始位置；而讀點Rdp和記錄點Rcp 之間的數量關系為Rcsize＝Rdp-Rcp和Rdsize＝Maxsize-(Rdp-Rcp)，覆蓋時某 些時候出現了Rdp＝Rcp這種關系，這與(2)中描述的空間回收情形是一致 的，為了便于區分，需要標志出覆蓋和非覆蓋情形，并且不改變記錄點和 讀點指向的位置，將記錄點和讀點最高位置“1”。

2.根據權利要求1所述的允許覆蓋的閃存均勻磨損循環隊列方法， 其特征在于：記錄的位置和上次記錄點、讀點的查找采用對半查找得出。