[發(fā)明專利]一種溝槽絕緣柵雙極型晶體管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810046420.8
• 申請(qǐng)日: 2008-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN101452952A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李澤宏;錢夢(mèng)亮;張波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L29/06;H01L29/417
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1、一種溝槽絕緣柵雙極型晶體管，包括金屬化集電極(1)、P⁺襯底(2)、N⁺緩沖層(3)、N^-基區(qū)(4)、P型基區(qū)(6)、N⁺源區(qū)(7)、金屬發(fā)射極(8)、溝槽柵(9)和柵氧化層(10)；器件從底層往上依次是金屬化集電極(1)、P⁺襯底(2)、N⁺緩沖層(3)、N^-基區(qū)(4)、P型基區(qū)(6)、N⁺源區(qū)(7)和金屬發(fā)射極(8)；柵氧化層(10)位于溝槽柵(9)的表面，二者共同形成溝槽絕緣柵；所述溝槽絕緣柵位于金屬發(fā)射極(8)下面，穿過(guò)N⁺源區(qū)(7)和P型基區(qū)(6)，并向下延伸至N^-基區(qū)(4)；其特征在于，所述金屬發(fā)射極(8)為溝槽式金屬發(fā)射極，溝槽式金屬發(fā)射極具有兩個(gè)分別位于溝槽絕緣柵兩側(cè)的溝槽式延伸端；所述溝槽式延伸端向下穿過(guò)N⁺源區(qū)(7)和P型基區(qū)(6)；整個(gè)器件還包括一個(gè)P⁺空穴收集區(qū)(5)，所述P⁺空穴收集區(qū)(5)位于金屬發(fā)射極(8)的兩個(gè)溝槽式延伸端下方的N^-基區(qū)(4)中，并與P型基區(qū)(6)和金屬發(fā)射極(8)的兩個(gè)溝槽式延伸端相連。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述金屬發(fā)射極(8)的兩個(gè)溝槽式延伸端是通過(guò)刻槽和金屬淀積的工藝實(shí)現(xiàn)的。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述P⁺空穴收集區(qū)(5)是通過(guò)刻槽后離子注入或離子擴(kuò)散的工藝實(shí)現(xiàn)的。

4、一種溝槽絕緣柵雙極型晶體管，包括金屬化集電極(1)、N⁺襯底(22)、P⁺緩沖層(33)、P^-基區(qū)(44)、N型基區(qū)(66)、P⁺源區(qū)(77)、金屬發(fā)射極(8)、溝槽柵(9)和柵氧化層(10)；器件從底層往上依次是金屬化集電極(1)、N⁺襯底(22)、P⁺緩沖層(33)、P^-基區(qū)(44)、N型基區(qū)(66)、P⁺源區(qū)(77)和金屬發(fā)射極(8)；柵氧化層(10)位于溝槽柵(9)的表面，二者共同形成溝槽絕緣柵；所述溝槽絕緣柵位于金屬發(fā)射極(8)下面，穿過(guò)P⁺源區(qū)(7)和N型基區(qū)(66)，并向下延伸至P-基區(qū)(44)；其特征在于，所述金屬發(fā)射極(8)為溝槽式金屬發(fā)射極，溝槽式金屬發(fā)射極具有兩個(gè)分別位于溝槽絕緣柵兩側(cè)的溝槽式延伸端；所述溝槽式延伸端向下穿過(guò)P⁺源區(qū)(77)和N型基區(qū)(66)；整個(gè)器件還包括一個(gè)N⁺電子收集區(qū)(55)，所述N⁺電子收集區(qū)(55)位于金屬發(fā)射極(8)的兩個(gè)溝槽式延伸端下方的P^-基區(qū)(44)中，并與N型基區(qū)(66)和金屬發(fā)射極(8)的兩個(gè)溝槽式延伸端相連。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的溝槽絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述金屬發(fā)射極(8)的兩個(gè)溝槽式延伸端是通過(guò)刻槽和金屬淀積的工藝實(shí)現(xiàn)的。

6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的溝槽絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述N⁺空穴收集區(qū)(55)是通過(guò)刻槽后離子注入或離子擴(kuò)散的工藝實(shí)現(xiàn)的。