[發明專利]一種有機薄膜晶體管及其制備方法

無效

• 申請號: 200810046025.X
• 申請日: 2008-09-11
• 公開（公告）號: CN101359719A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: 于軍勝;李璐;蔣亞東;張磊
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種有機薄膜晶體管，包括基板、柵電極、有機柵絕緣層、有機半導體層、漏電極和源電極，其特征在于，所述有機柵絕緣層材料為紫外固化膠，包括自由基型紫外光固化膠粘劑，陽離子型紫外光固化膠粘劑以及兩者的混合體系；所述自由基型紫外光固化膠粘劑包括基礎樹脂、單體、光引發劑和光敏劑以及助劑；所述有機半導體層的材料為以下材料中的一種或者多種：富勒烯C₆₀及其衍生物，苝Perylene及其衍生物。

2.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有機柵絕緣層厚度為1nm～500nm。

3.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，基礎樹脂包括不飽和聚酯樹脂、丙烯酸系樹脂和多硫醇-多烯體系；單體包括苯乙烯及其衍生物、單官能團和多官能團丙烯酸酯；光引發劑包括安息香及其衍生物安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚和乙酰苯衍生物；光敏劑包括二苯甲酮、硫雜蒽醌和米蚩酮；助劑包括增塑劑、觸變劑、填充劑、防靜電劑、阻燃劑和偶聯劑。

4.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述源電極、漏電極和柵電極為導電薄膜。

5.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述源電極、漏電極和柵電極為金屬。

6.根據權利要求1～4任一所述的機薄膜晶體管，其特征在于，晶體管結構為頂部接觸式、底部接觸式和頂部柵極式中的一種，其中頂部接觸式結構構成是部件從底端到頂端依次為基板、柵電極、有機柵絕緣層、有機半導體層以及在同一層面的源電極和漏電極，底部接觸式結構構成是部件從底端到頂端依次為基板、柵電極、有機柵絕緣層、在同一層面的源電極和漏電極、有機半導體層，頂部柵極式結構構成是部件從底端到頂端依次為基板、在同一層面的源電極和漏電極、有機半導體層、有機柵絕緣層、柵電極。

7.一種有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

①先對基板進行徹底的清洗，清洗后干燥；

②在基板的表面制備柵電極；

③形成柵電極的圖形；

④在鍍有柵電極的基板的上制備有機柵絕緣層，所述有機柵絕緣層材料為紫外固化膠，包括自由基型紫外光固化膠粘劑，陽離子型紫外光固化膠粘劑以及兩者的混合體系；

⑤對形成的有機柵絕緣層進行處理；

⑥在已形成柵電極，以及已覆蓋有機柵絕緣層的基板制備有機半導體層，所述有機半導體層的材料為以下材料中的一種或者多種：富勒烯C₆₀及其衍生物，苝Perylene及其衍生物；

⑦然后制備源電極和漏電極；

⑧形成源電極，漏電極圖案。