[發明專利]近空間升華法制備大面積化合物半導體源無效
| 申請號： | 200810045790.X | 申請日： | 2008-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN101649442A | 公開（公告）日： | 2010-02-17 |
| 發明（設計）人： | 馮良桓;黎兵;蔡偉;蔡亞萍 | 申請（專利權）人： | 四川大學 |
| 主分類號： | C23C14/22 | 分類號： | C23C14/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610207*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 空間 升華 法制 大面積 化合物 半導體 | ||
【權利要求書】：
1、一種制備大面積化合物半導體薄膜及其源的設備，其特征是利用近空間升華法，以石墨塊或其它高溫下不易變形的材料，如不銹鋼板材作為源片載體，包括：
加熱管放入真空罩中，使用內置加熱；
裝備了經拋光的不銹鋼反光板；
設計了上石墨升降及水冷一體化裝置；
裝備了冷阱，進行尾氣處理。
2、如權利要求1所述的設備，其特征是加熱管放入真空罩中，改用內置加熱，對上下石墨加熱更徹底。
3、如權利要求1所述的設備，其特征是在上石墨的上面和下石墨的下面，分別放置拋光的不銹鋼反光板，使得邊緣與中心的石墨溫度盡量一致；同時，長方體真空罩的內壁作了拋光處理，水平的四面內壁上又加掛了四片不銹鋼反光板；另外，在石墨上多鉆了邊緣熱偶測溫點，便于檢測溫場分布。
4、如權利要求1所述的設備，其特征是設計了上石墨升降及水冷一體化裝置，可以在真空罩外面實現上下間距的連續調節。
5、如權利要求1所述的設備，其特征是加裝了冷阱，能進行有效的尾氣處理。
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