[發(fā)明專利]釔鐵石榴石薄膜結(jié)構(gòu)及制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810044302.3
• 申請(qǐng)日: 2008-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN101311374A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊青慧;張懷武;劉穎力;文岐業(yè);李元?jiǎng)?/a>;賈利軍;唐曉莉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B29/28
• 分類號(hào): C30B29/28;C30B23/08;H01F10/24;H01F41/28
• 代理公司: 成都惠迪專利事務(wù)所
• 代理人: 劉勛

1.釔鐵石榴石薄膜結(jié)構(gòu)，包括Si基片和其上的釔鐵石榴石薄膜 層，其特征在于，在Si基片和釔鐵石榴石薄膜層之間還有CeO₂過渡 層，CeO₂過渡層為鍍制在Si基片上。

2.釔鐵石榴石薄膜結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

步驟一、首先對(duì)基片的表面進(jìn)行預(yù)處理，清洗步驟為：

(1)用去離子水超聲清洗；(2)用丙酮超聲清洗；(3)用酒 精超聲清洗；(4)用純凈水沖洗并烘干；

步驟二、將清洗好的基片置于真空室中的濺射臺(tái)上，抽高真空。

步驟三、濺射CeO₂過渡層：當(dāng)真空度達(dá)到5×10^-4Pa以下時(shí)，充 入氬氣，使壓強(qiáng)維持在7×10^-1Pa，濺射CeO₂；以60W的功率進(jìn)行 濺射，20分鐘后停止，此時(shí)CeO₂層的厚度約為15nm；

步驟四、鍍制釔鐵石榴石薄膜；

步驟五、退火處理：將濺射沉積的薄膜放入處理爐中，在真 空度小于10^-2時(shí)，升溫，保溫一段時(shí)間后冷卻。