[發明專利]超薄石墨片作襯底的碲化鎘太陽電池

無效

• 申請號: 200810044295.7
• 申請日: 2008-04-28
• 公開（公告）號: CN101267007A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 張靜全;雷智;馮良桓;蔡亞平;武莉莉;李衛;黎兵;鄭家貴
• 申請（專利權）人: 四川大學
• 主分類號: H01L31/045
• 分類號: H01L31/045;H01L31/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種石墨片作襯底的碲化鎘薄膜太陽電池結構：石墨片襯底的厚度為50～500微米，結構是石墨片/p-CdTe/n-CdS/TCO/Al，其特征是首先在石墨片上沉積一層銅，然后進行熱處理，再沉積一層碲，然后以此進行了處理的石墨片作為襯底依次沉積碲化鎘薄膜、硫化鎘薄膜、透明導電氧化物薄膜、柵狀鋁電極，得到碲化鎘太陽電池。

2、如權利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽電池的結構，其特征是在石墨片上沉積的銅層厚度為50～200納米。

3、如權利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽電池的結構，其特征是沉積了銅層的石墨片的熱處理條件為：200～300℃，20～40分鐘。

4、如權利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽電池的結構，其特征是在進行了熱處理的石墨片上沉積的碲層厚度為20～100納米。