[發(fā)明專利]監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810044125.9 | 申請日: | 2008-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN101750875A | 公開(公告)日: | 2010-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳福成;吳鵬;闞歡 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/14 | 分類號: | G03F1/14;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 張驥 |
| 地址: | 201206 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 監(jiān)測 光刻 質(zhì)量 方法 | ||
1.一種監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法,其特征在于:通過以下步驟進行監(jiān)測:
第一步,設(shè)置特征圖形;
在光刻工藝層中設(shè)置多個特征圖形,所述光刻工藝層包括多種不同的襯底,每種襯底上分別放置有特征圖形;兩種不同襯底的交界處放置有特征圖形;
第二步,監(jiān)測光刻質(zhì)量;
通過比對各特征圖形與各特征圖形所在處的光刻圖案之間的差異情況,監(jiān)測光刻機臺在特定光刻工藝層的曝光焦距和工藝窗口的情況。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法,其特征在于:所述第二步中,對所述多個特征圖形同時進行監(jiān)測。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法,其特征在于:所述特征圖形的樣式包括所有線寬的測量結(jié)構(gòu)式樣及芯片的設(shè)計式樣,所述線寬包括設(shè)計規(guī)則的線寬測量結(jié)構(gòu)和亞設(shè)計規(guī)則的線寬測量結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法,其特征在于:所述設(shè)計規(guī)則的線寬測量結(jié)構(gòu)占總線寬的50~99%。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
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