[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器制造方法及CMOS圖像傳感器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810044041.5
• 申請日: 2008-12-02
• 公開（公告）號: CN101752309A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發(fā)明（設計）人: 陳華倫;熊濤;陳瑜;陳雄斌;羅嘯
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L27/146
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 周赤

1.一種CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，其后段工藝包括以下步驟：

步驟一.在分布有感光二極管的感光層之上淀積一層阻擋層；

步驟二.在上述阻擋層之上進行常規(guī)介質的金屬前介質層淀積和平坦化；

步驟三.對常規(guī)介質的金屬前介質層進行光刻和刻蝕，將位于感光二極管上方的常規(guī)介質的金屬前介質層刻蝕掉，停止在阻擋層上；

步驟四.淀積較常規(guī)介質折射率高的高折射率介質層；

步驟五.將該高折射率介質層平坦化，并且保持總的厚度與上述平坦化后的常規(guī)介質的金屬前介質層厚度相等；

步驟六.完成金屬前介質層上的后續(xù)工藝；

步驟七.進行常規(guī)介質的金屬層間介質層淀積和平坦化；

步驟八.對常規(guī)介質的金屬層間介質層進行光刻和刻蝕，將位于感光二極管上方的常規(guī)介質的金屬層間介質層刻蝕掉；

步驟九.淀積較常規(guī)介質折射率高的高折射率介質層；

步驟十.將該高折射率介質層平坦化，并且保持總的厚度與上述平坦化后的常規(guī)介質的金屬間介質層厚度相等；

步驟十一.完成金屬層間介質層上的后續(xù)工藝；

步驟十二.重復步驟七～步驟十一，直到最后一層金屬層完成。

2.一種CMOS圖像傳感器，在硅襯底之上為分布有感光二極管的感光層，其特征在于，感光層之上為一阻擋層，在阻擋層之上覆蓋有介質層，其中感光二極管對應上方的介質層為較常規(guī)介質層折射率高的高折射率介質層，其它部分的介質層為常規(guī)介質層。

3.根據(jù)權利要求2所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述阻擋層及高折射率介質層為SIO_xN_y，所述常規(guī)介質層為PEOX、HDP或FSG。