[發明專利]形成厚度均勻的柵氧化層的方法

有效

• 申請號: 200810044022.2
• 申請日: 2008-11-27
• 公開（公告）號: CN101740510A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 錢文生
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種形成厚度均勻的柵氧化層的方法，硅片已定義MOS晶體管的有源區，其特征是：所述方法包括如下步驟：

第1步，在硅片表面生長一層隔離氧化硅，再淀積一層氮化硅，接著光刻形成刻蝕窗口，在刻蝕窗口刻蝕掉氮化硅、隔離氧化硅和部分硅形成溝槽；

第2步，在所述溝槽的側壁和底面生長一層襯墊氧化硅，再在硅片表面淀積一層填充氧化硅，所述填充氧化硅至少將所述溝槽完全填充；

第3步，以化學機械拋光工藝平坦化所述填充氧化硅直至露出氮化硅；

第4步，濕法腐蝕所述溝槽上方的填充氧化硅，刻蝕后的填充氧化硅仍高于硅片的有源區；

第5步，濕法腐蝕所述溝槽兩側的氮化硅，直至露出隔離氧化硅；

第6步，對硅片進行硅離子的預非晶化離子注入，在被刻蝕的氮化硅下方的有源區內形成非晶層；

第7步，濕法腐蝕硅片表面的氮化硅和隔離氧化硅；

第8步，在硅片表面生長柵氧化層。

2.根據權利要求1所述的形成厚度均勻的柵氧化層的方法，其特征是：所述方法在第1步之前還包括：在硅片上定義MOS晶體管的有源區，并進行高溫爐退火工藝；所述定義有源區是以離子注入工藝在硅片上形成N阱、P阱、NMOS漂移區和/或PMOS漂移區。

3.根據權利要求1所述的形成厚度均勻的柵氧化層的方法，其特征是：所述方法的第4步中，當填充氧化硅高出硅片的有源區300～500時，停止濕法腐蝕工藝。

4.根據權利要求1所述的形成厚度均勻的柵氧化層的方法，其特征是：所述方法的第5步中，腐蝕氮化硅的寬度是所述溝槽兩側的?

5.根據權利要求1所述的形成厚度均勻的柵氧化層的方法，其特征是：所述方法的第6步中，所述預非晶化離子注入的角度范圍為30度～50度，離子注入的劑量范圍為1×10¹⁴離子/cm²～8×10¹⁴離子/cm²，離子注入的能量范圍為30keV～80keV。

6.根據權利要求1所述的形成厚度均勻的柵氧化層的方法，其特征是：所述方法的第6步中，后續工藝要求的柵氧化層越厚，本步驟中離子注入能量越大。?