[發(fā)明專(zhuān)利]采用T型柵結(jié)構(gòu)的浮柵閃存器件及其制造工藝方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810044020.3 | 申請(qǐng)日： | 2008-11-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101740638A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林鋼;楊斌 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/788 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 顧繼光 |
| 地址： | 201206 上*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 采用 結(jié)構(gòu) 閃存 器件 及其 制造 工藝 方法 | ||
1.一種采用T型柵結(jié)構(gòu)的浮柵閃存器件，由下至上依次包括：隧穿氧化層、多晶硅浮柵層和ONO層，其特征在于，所述ONO層和多晶硅浮柵層中間被刻蝕成一凹槽，在該凹槽的多晶硅浮柵層側(cè)壁形成柵氧化層，多晶硅覆蓋在浮柵上方和該凹槽中，形成T型柵結(jié)構(gòu)的多晶硅電極。
2.如權(quán)利要求1所述的采用T型柵結(jié)構(gòu)的浮柵閃存器件，其特征在于，所述的隧穿氧化層厚度為50～100埃，所述的多晶硅浮柵層厚度為500～1000埃，所述的ONO層厚度為50～200埃，所述的T型柵凹槽寬度為10～300nm，所述浮柵上方的多晶硅柵電極層厚度為1000～2000埃；所述柵氧化層厚度為100埃～200埃。
3.一種采用T型柵結(jié)構(gòu)的浮柵閃存器件的制造工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)由下至上依次淀積隧穿氧化層、多晶硅浮柵層和ONO層；
(2)T型柵光刻和刻蝕，這步刻蝕需要刻蝕ONO層和多晶硅浮柵層，停止在隧穿氧化層，形成凹槽結(jié)構(gòu)；
(3)柵氧化，在上述凹槽的多晶硅浮柵側(cè)壁形成柵氧化層；
(4)多晶硅淀積，多晶硅覆蓋在浮柵上方和上述凹槽中，從而形成T型柵結(jié)構(gòu)；
(5)多晶硅光刻和刻蝕，形成多晶硅柵電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的采用T型柵結(jié)構(gòu)的浮柵閃存器件的制造工藝方法，其特征在于，在步驟(2)和步驟(3)之間增加濕法清洗步驟，清除步驟(2)刻蝕后殘留的隧穿氧化層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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