[發明專利]基于可變光酸擴散長度建立OPC模型的方法

有效

• 申請號: 200810043987.X
• 申請日: 2008-11-24
• 公開（公告）號: CN101738848A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 王雷
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 周赤

1.一種基于可變光酸擴散長度建立OPC模型的方法，其特征是：該方法包括如下步驟：

第1步，給定一種光刻膠，測量該光刻膠對不同空間周期和/或關鍵尺寸的光罩圖形進行光刻后的光酸擴散長度；

或者，給定一種光刻膠，測量該光刻膠對一個光罩圖形進行光刻后的光酸擴散長度；將該測量值作為初始值，設置擴展范圍和擴展步進，在擴展范圍內以初始值向高、低兩方向按擴展步進得到多個猜測值；分別以初始值和多個猜測值建立臨時OPC模型，采用這些臨時OPC模型設計不同空間周期和/或關鍵尺寸的光罩圖形并測量光刻后的光刻圖形的實際關鍵尺寸，得到符合精確度要求的猜測值；

或者，給定一種光刻膠，使用光刻膠廠家給定的光酸擴散長度作為初始值，設置擴展范圍和擴展步進，在擴展范圍內以初始值向高、低兩方向按擴展步進得到多個猜測值；分別以初始值和多個猜測值建立臨時OPC模型，采用這些臨時OPC模型設計不同空間周期和/或關鍵尺寸的光罩圖形并測量光刻后的光刻圖形的實際關鍵尺寸，得到符合精確度要求的猜測值；

第2步，使用第1步測量得到的各空間周期和/或關鍵尺寸的光罩圖形所對應的光酸擴散長度、或初始值和符合精確度要求的猜測值作為各空間周期和/或關鍵尺寸的光罩圖形所對應的光酸擴散長度建立該光刻膠的OPC模型。

2.根據權利要求1所述的基于可變光酸擴散長度建立OPC模型的方法，其特征是：

所述方法的第1步中，給定多種光刻膠，測量各種光刻膠對不同空間周期和/或關鍵尺寸的光罩圖形進行光刻后的光酸擴散長度；

所述方法的第2步中，使用第1步測量得到的各空間周期和/或關鍵尺寸的光罩圖形所對應的光酸擴散長度建立各種光刻膠的OPC模型。

3.根據權利要求1所述的基于可變光酸擴散長度建立OPC模型的方法，其特征是：所述光罩圖形都包括具有不同圖形線寬和/或不同空間線寬的部分。

4.根據權利要求1所述的基于可變光酸擴散長度建立OPC模型的方法，其特征是：所述光酸擴散長度為基于等效高斯擴散模型定義的等效光酸擴散長度。

5.根據權利要求1所述的基于可變光酸擴散長度建立OPC模型的方法，其特征是：所述光酸擴散長度為實際光酸擴散長度。

6.根據權利要求1所述的基于可變光酸擴散長度建立OPC模型的方法，其特征是：所述方法的第1步中，擴展范圍為100％，擴展步進為5％，猜測值為40個。