[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造鋁金屬線制程

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810043983.1
• 申請(qǐng)日: 2008-11-24
• 公開（公告）號(hào): CN101740467A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚穎;陳廣龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 周赤

1.一種半導(dǎo)體制造鋁金屬線制程，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一.淀積鋁金屬薄膜；

步驟二.刻蝕所述鋁金屬薄膜；

步驟三.APCVD淀積同所述金屬鋁直接接觸的IMD；

步驟四.在APCVD淀積的同所述金屬鋁直接接觸的IMD之上，PECVD淀積IMD；

步驟五.IMD通孔等后續(xù)工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造鋁金屬線制程，其特征在于，步驟三通過(guò)APCVD淀積同所述金屬鋁直接接觸的IMD后，CMP所述APCVD淀積的IMD，然后進(jìn)行步驟四。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造鋁金屬線制程，其特征在于，所述APCVD淀積的同所述金屬鋁直接接觸的IMD為TEOS。