[發明專利]使用耗盡型晶體管的開路檢測器及其使用方法有效
| 申請號： | 200810043958.3 | 申請日： | 2008-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN101738559A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發明（設計）人： | 古炯鈞;王楠;周平 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/02 | 分類號： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 耗盡 晶體管 開路 檢測器 及其 使用方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種使用耗盡型晶體管的開路檢測器；其特征在于，包括：
電壓泵模塊，電壓泵模塊連接耗盡型PMOS管的柵極和漏極，電壓泵 模塊用于輸出一個高于芯片基準電壓VDD的電平；
耗盡型PMOS管的柵極連接有開路檢測模塊，開路檢測模塊連接基準 電壓VDD；
耗盡型PMOS管的源極連接開路檢測模塊。
2.如權利要求1所述的使用耗盡型晶體管的開路檢測器的使用方 法；其特征在于，包括：
當在芯片地與外部地連接時，所述耗盡型PMOS管處于關斷狀態，開 路檢測模塊保持關斷；
當芯片的地與外部的地斷開時，電壓泵停止工作，開路檢測模塊把電 壓泵上的電位下拉到基準電壓VDD，此時耗盡型PMOS管打開，把芯片的 輸出接至VDD，超過芯片正常輸出電壓，判斷出此時芯片處于開路狀態。
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