[發明專利]提高鋁銅電遷移性能的金屬層淀積結構及其制作方法無效
| 申請號： | 200810043943.7 | 申請日： | 2008-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN101740546A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發明（設計）人： | 季偉;季芝慧 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/532 | 分類號： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 鋁銅電 遷移 性能 金屬 層淀積 結構 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高鋁銅電遷移性能的金屬層淀積結構，其結構順序為，第一層鈦，第二層氮化鈦，第三層鋁銅，第四層鈦，第五層氮化鈦；其特征在于，在第二層氮化鈦和第三層鋁銅之間有一層鈦鋁合金。
2.如權利要求1所述的提高鋁銅電遷移性能的金屬層淀積結構，其特征在于，所述的位于第二層氮化鈦和第三層鋁銅之間的鈦鋁合金的厚度在20埃至70埃之間。
3.如權利要求1所述的提高鋁銅電遷移性能的金屬層淀積結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、淀積第一層鈦和第二層氮化鈦；
步驟二、在淀積完需要的第二層氮化鈦后關閉氮氣，在氮化鈦腔中在第二層氮化鈦表面淀積一層鈦，然后將腔體抽真空并將硅片取出；
步驟三、淀積第三層鋁銅；
步驟四、淀積第四層鈦和第五層氮化鈦。
4.如權利要求3所述的提高鋁銅電遷移性能的金屬層淀積結構的制作方法，其特征在于，步驟三中淀積第三層鋁銅時溫度高于380攝氏度。
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