[發明專利]溝槽型功率MOS晶體管及其制備方法

無效

• 申請號: 200810043940.3
• 申請日: 2008-11-18
• 公開（公告）號: CN101740615A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 魏煒;程義川;王凡
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種溝槽型功率MOS晶體管，所述溝槽型功率MOS晶體管包括在硅基體上從下往上依次平行設置的漏區、襯底區和源區，垂直與所述漏區、襯底區和源區的溝槽內為填充有多晶硅的柵級，所述多晶硅和溝槽內壁之間生長有柵氧，其特征在于：所述溝槽底部的柵氧比溝槽側壁的柵氧厚兩倍以上，且所述溝槽底部的柵氧的上表面低于所述襯底區的下表面。

2.如權利要求1所述的溝槽型功率MOS晶體管的制備方法，其特征在于，在硅上刻蝕完溝槽且在溝槽內壁生長犧牲氧化層之后，包括如下步驟：

1)在溝槽底部淀積一預定厚度的二氧化硅；

2)采用CMP研磨法去除硅表面的二氧化硅；

3)濕法刻蝕溝槽內的二氧化硅，至溝槽底部的二氧化硅達到所需要求；

4)熱氧法在溝槽側壁生長二氧化硅，所述側壁二氧化硅的厚度為器件設計的柵氧厚度；

5)在溝槽內完全填充多晶硅，后平整化去除硅表面的多晶硅，形成柵極。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述步驟三中濕法刻蝕后剩余的溝槽底部的二氧化硅的厚度為側壁二氧化硅厚度的兩倍以上，且溝槽底部二氧化硅的上表面低于所述溝槽型功率MOS晶體管中襯底區的下表面。