[發(fā)明專利]在SONOS技術中提升金屬接觸孔工藝窗口的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810043939.0 | 申請日： | 2008-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN101740465A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王函 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sonos 技術 提升 金屬 接觸 工藝 窗口 方法 | ||
1.一種在SONOS技術中提升金屬接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于，用磷酸玻璃和未攙雜氧化膜作為接觸孔層間膜，包括以下步驟：
步驟一、在硅片上淀積一層未攙雜氧化膜；
步驟二、淀積一層磷酸玻璃后進行化學機械拋光；
步驟三、淀積一層氧化膜，達到層間膜厚度；
步驟四、利用光刻做出接觸孔的圖形；
步驟五、利用磷酸玻璃對未攙雜氧化膜的選擇比50∶1以上的干法工藝刻蝕接觸孔。
2.根據(jù)權利要求1所述的在SONOS技術中提升金屬接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于，所述未攙雜氧化膜層間膜介質(zhì)，通過腔體淀積或是擴散爐生成獲得的未攙雜氧化膜。
3.根據(jù)權利要求1所述的在SONOS技術中提升金屬接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于，所述磷酸玻璃通過薄膜淀積方法獲得。
4.根據(jù)權利要求1所述的在SONOS技術中提升金屬接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝關鍵特征主刻蝕具有磷酸玻璃對未攙雜氧化膜的高選擇比，其主要工藝參數(shù)為：
(1)上部電源功率：0～2000w；
(2)偏轉(zhuǎn)功率：0～2000w；
(3)壓力：0～200mT；
(4)氬氣：0～500sccm；
(5)氧氣：0～500sccm；
(6)具有高選擇比的碳氟系氣體0～500sccm；
(7)具有高選擇比的碳氟氫系氣體0～500sccm；
(8)靜電吸附盤背部氦氣壓力0～20T。
5.根據(jù)權利要求1所述的在SONOS技術中提升金屬接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于，所述高選擇比的碳氟系氣體包括C4F8或C4F6或C5F8。
6.根據(jù)權利要求1所述的在SONOS技術中提升金屬接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于，所述具有高選擇比的碳氟氫系氣體包括F135。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
