[發明專利]紫外光圖像傳感器及其制作方法

有效

• 申請號: 200810043934.8
• 申請日: 2008-11-13
• 公開（公告）號: CN101740586A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 陳華倫;陳瑜;熊濤;羅嘯;陳雄斌
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/822
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種紫外光圖像傳感器，包括硅襯底、位于硅襯底上的圖像傳感 器電路和感光元件、用于連接感光元件的金屬層、用于金屬互連線隔離 的絕緣介質層、用于電路保護和絕緣的鈍化層，其特征在于：在一個像 素內相鄰的兩個傳感器中的一個傳感器上方設有氮化硅層以形成紫外光 濾鏡；所述的圖像傳感器電路包括差分電路；所述的氮化硅層的厚度大 于1000埃。

2.如權利要求1所述的紫外光圖像傳感器，其特征在于，所述的氮 化硅層位于該圖像傳感器的鈍化層上。

3.如權利要求1所述的紫外光圖像傳感器，其特征在于，所述有紫 外光濾鏡的圖像傳感器信號等于可見光信號，沒有紫外光濾鏡的圖像傳 感器信號等于紫外光和可見光信號之和；所述的圖像傳感器信號通過差 分電路得到紫外光信號。

4.一種紫外光圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： (1)在硅襯底上制作圖像傳感器電路和感光元件；所述的圖像傳感器電 路包括差分電路；(2)在硅片表面淀積氮化硅層；所述的氮化硅層的厚 度大于1000埃；(3)利用光刻保護住紫外光吸收單元上方的氮化硅層； (4)去除紫外光吸收單元以外的氮化硅層。

5.如權利要求4所述的紫外光圖像傳感器的制作方法，其特征在于， 步驟(4)采用等離子體刻蝕工藝將紫外光吸收單元以外的氮化硅層完全 去除。