[發明專利]雙極型晶體管工藝偏差模型參數的在線測試及提取方法有效
| 申請號： | 200810043930.X | 申請日： | 2008-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN101739471A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發明（設計）人： | 蔡描;周天舒 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙極型 晶體管 工藝 偏差 模型 參數 在線 測試 提取 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙極型晶體管工藝偏差模型參數的在線測試及提取方法，采用根梅爾-普恩模型對雙極型晶體管件進行建模，其特征在于：采用以下步驟測試及提取飽和電流的工藝偏差模型參數：
第一步，將根梅爾曲線的測試回路中的基極與集電極短接，參考電平射極電壓Ve為0；
第二步，使基極電壓與發射極電壓差Vbe從0.1伏掃描至0.8伏，選取其中任意兩個或多個點，測試其對應的集電極電流Ic值；
第三步，取各點的集電極電流Ic的對數值放入Ic-Vbe坐標中，集電極電流對數值-基極電壓曲線近似一次線性函數，通過測試的各點坐標推導出線性函數Y＝AX+B；其中X代表Vbe值，Y代表Ic的對數值；
第四步，根據所推導的線性函數Y＝AX+B，選取兩點坐標計算出線性函數Y＝AX+B中的A和B值；
第五步，根據IS＝10B，求出IS和NF的值；
其中IS代表傳輸飽和電流，NF代表正向電流發射系數，VT＝26mV，Log(e)＝0.434；
第六步，在線進行全硅片測試得到IS和NF的工藝偏差范圍；
第七步，把實際測試得到的IS和NF的范圍應用到雙極型晶體管BJT的模型文件中。
2.根據權利要求1所述的雙極型晶體管工藝偏差模型參數的在線測試及提取方法，其特征在于：所述第三步、第四步和第五步通過編寫在線測試程序得出。
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