[發明專利]探測當前層曝光步進精度的方法無效
| 申請號： | 200810043869.9 | 申請日： | 2008-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN101727012A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發明（設計）人： | 王雷 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 探測 當前 曝光 步進 精度 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種探測當前層曝光步進精度的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、在重復曝光單元中放置對準圖形，光罩平臺和曝光平臺精度校準，光刻機曝光顯影；
步驟二、顯影完成后，再進行一次光刻機對準，測量得到曝光完成后各重復單元在硅片上的位置；
步驟三、通過步驟二中得到的各重復單元的位置，判斷是否符合步進精度的需求；
步驟四、如不符合步進精度的需求，則判定不合格，重復步驟一；如符合步進精度的需求，則判定合格。
2.如權利要求1所述的探測當前層曝光步進精度的方法，其特征在于，在步驟四判定不合格后，測量關鍵尺寸，判斷關鍵尺寸是否合格，如果不合格則調整曝光條件。
3.如權利要求1所述的探測當前層曝光步進精度的方法，其特征在于，測量各重復單元在硅片上的位置時，通過光刻機本身的對準系統進行各重復單元的位置測量。
4.如權利要求3所述的探測當前層曝光步進精度的方法，其特征在于，測量各重復單元在硅片上的位置時，所使用的測量圖形為光刻機的標準對準圖形或光刻機進行日常維護中檢查光刻機對準和鏡頭變形的測試圖形。
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