[發明專利]光刻機對準方法

有效

• 申請號: 200810043868.4
• 申請日: 2008-10-28
• 公開（公告）號: CN101727011A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 楊要華;單英敏
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種光刻機對準方法，其特征在于：包括兩階段對準方法，第一階段是晶圓正常區域對準，包括如下步驟：(1)在曝光單元上設置一些對準標記；(2)光刻機測量若干曝光單元的步驟(1)中設置的對準標記的坐標；(3)擬和出晶圓對準模型1；(4)曝光后得出套準不良的晶圓扭曲區域；第二階段是晶圓扭曲區域對準，包括如下步驟：(A)在晶圓扭曲區域設置一些對準標記；(B)光刻機測量對準標記的坐標；(C)擬和出晶圓對準模型2；(D)曝光后進行套準修正。

2.如權利要求1所述的光刻機對準方法，其特征在于：步驟(1)中所述在曝光單元上是在曝光單元的切割道上。

3.如權利要求1所述的光刻機對準方法，其特征在于：步驟(A)中所述在晶圓扭曲區域是在晶圓扭曲區域的切割道上。

4.如權利要求1所述的光刻機對準方法，其特征在于：所述步驟(3)擬和出晶圓對準模型1采用最小二乘法。

5.如權利要求1所述的光刻機對準方法，其特征在于：所述步驟(C)擬和出晶圓對準模型2采用最小二乘法。

6.如權利要求1所述的光刻機對準方法，其特征在于：步驟(3)中所述的晶圓對準模型1由以下6個參數組成：平移橫軸參數Tx1、平移縱軸參數Ty1、膨脹橫軸參數Ex1、膨脹縱軸參數Ey1、旋轉參數Rotation1和正交性參數Ortho1。

7.如權利要求1所述的光刻機對準方法，其特征在于：步驟(C)中所述的晶圓對準模型2由以下6個參數組成：平移橫軸參數Tx2、平移縱軸參數Ty2、膨脹橫軸參數Ex2、膨脹縱軸參數Ey2、旋轉參數Rotation2和正交性參數Ortho2。