[發明專利]三氟化氯刻蝕多晶硅成長爐的終點控制方法無效
| 申請號： | 200810043867.X | 申請日： | 2008-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN101724912A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發明（設計）人： | 呂晨平 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B35/00 | 分類號： | C30B35/00;C23F1/00;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 王關根 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氟化 刻蝕 多晶 成長 終點 控制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種三氟化氯刻蝕多晶硅成長爐的終點控制方法，所述多晶硅成長爐內具有至少一溫度檢測裝置，其特征是：所述方法包括如下步驟：
第1步，設定多晶硅成長爐內的反應溫度和報警溫度，開始向多晶硅成長爐內通入三氟化氯氣體，并持續通入預刻蝕時間；
第2步，監測多晶硅成長爐內的溫度檢測裝置，當多晶硅成長爐內的溫度由報警溫度上升，并回落到報警溫度時，再持續過刻蝕時間后停止通入三氟化氯氣體。
2.根據權利要求1所述的三氟化氯刻蝕多晶硅成長爐的終點控制方法，其特征是：所述報警溫度設定為等于反應溫度。
3.根據權利要求2所述的三氟化氯刻蝕多晶硅成長爐的終點控制方法，其特征是：所述反應溫度和報警溫度均設為400℃。
4.根據權利要求1所述的三氟化氯刻蝕多晶硅成長爐的終點控制方法，其特征是：所述預刻蝕時間和過刻蝕時間均為零。
5.根據權利要求1所述的三氟化氯刻蝕多晶硅成長爐的終點控制方法，其特征是：所述預刻蝕時間和過刻蝕時間均為5分鐘。
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