[發明專利]降低溝槽隔離漏電的方法

有效

• 申請號: 200810043846.8
• 申請日: 2008-10-16
• 公開（公告）號: CN101728304A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 陳儉
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種降低溝槽隔離漏電的方法，其特征在于，包括以下步驟：第一步，通過光刻的方法在硅片上定義溝槽的位置；第二步，在硅襯底上刻蝕出溝槽；第三步，對刻蝕的區域用化學藥液進行清洗；第四步，在高溫爐管生長襯墊氧化層；第五步，在惰性氣體中進行高溫快速熱退火，并快速冷卻；所述高溫快速熱退火溫度大于1050攝氏度小于1250攝氏度，升溫速度大于10攝氏度每秒，小于100攝氏度每秒；所述快速冷卻時降溫速度大于50攝氏度每秒，小于200攝氏度每秒；所述惰性氣體為氮氣、氬氣、氨氣或者它們的混合氣體；第六步，在惰性氣體中進行低溫退火；所述低溫退火采用爐管低溫退火，退火的溫度小于800攝氏度大于500攝氏度，所述惰性氣體為氮氣、氬氣、氨氣或者它們的混合氣體；第七步，采用高密度等離子化學氣相淀積的方法填充氧化物；第八步，退火致密化；第九步，進行化學機械拋光去除不需要的氧化物。

2.根據權利要求1所述的降低溝槽隔離漏電的方法，其特征在于，第四步中生長的襯墊氧化層為熱氧化層，其生長溫度大于700攝氏度小于1100攝氏度，所生長的襯墊氧化層的厚度在5納米和40納米之間。

3.根據權利要求1所述的降低溝槽隔離漏電的方法，其特征在于，第五步中高溫快速熱退火并快速冷卻的工藝為一次或一次以上。

4.根據權利要求1所述的降低溝槽隔離漏電的方法，其特征在于，第六步中的退火氣體為氮氣。

5.根據權利要求1所述的降低溝槽隔離漏電的方法，其特征在于，第八步中采用爐管退火，退火溫度大于900攝氏度，小于1100攝氏度。

6.根據權利要求1所述的降低溝槽隔離漏電的方法，其特征在于，第五步中退火溫度高于第八步中退火溫度，第八步中的退火溫度高于第六步中退火溫度。