[發明專利]LDMOS晶體管及其制備方法

有效

• 申請號: 200810043767.7
• 申請日: 2008-09-09
• 公開（公告）號: CN101673763A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 陳儉
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種LDMOS晶體管，所述LDMOS晶體管包括位于柵極靠近漏極的一側側墻下的硅區域到漏極重摻雜區之間的高壓淺摻雜區，其特征在于：所述高壓淺摻雜區內嵌有被氧化硅包圍的多晶硅結構。

2.一種LDMOS晶體管的制備方法，所述LDMOS晶體管包括一高壓淺摻雜區，所述LDMOS晶體管制備流程包括：在原始硅片上光刻定義有源區和隔離區；在隔離區刻蝕形成隔離溝槽，接著隔離溝槽內淀積氧化層形成隔離結構；柵氧和柵極制備，之后高壓淺摻雜區形成；側墻形成；重摻雜源漏區形成；其特征在于：所述在隔離區刻蝕形成隔離溝槽步驟中和隔離溝槽內淀積氧化層形成隔離結構，包括如下步驟：

1)在淀積有氧化層和氮化硅的硅片上刻蝕用作器件隔離的隔離溝槽的同時，在預定形成高壓淺摻雜區的硅區域中刻蝕溝槽；

2)在步驟1)所刻蝕出的溝槽側壁和底部均淀積氧化硅；

3)淀積多晶硅填充溝槽，而后回刻法去除溝槽以外多余的多晶硅，并將溝槽內的多晶硅回刻至所述硅片表面之下；

4)接著淀積另一氧化層以覆蓋溝槽內的多晶硅并完全填充溝槽；

5)CMP法平整化去氮化硅上的氧化層并停在氮化硅內；

6)緊接著用化學藥液腐蝕法去除氮化硅和氮化硅下的氧化硅至所述硅片表面，形成內嵌的氧化硅包圍的多晶硅結構。