[發明專利]用于解決在高臺階基底條件下光刻膠涂布異常的方法無效
| 申請號： | 200810043759.2 | 申請日： | 2008-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN101666979A | 公開（公告）日： | 2010-03-10 |
| 發明（設計）人： | 何偉明;王雷;楊要華 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 解決 臺階 基底 條件下 光刻 膠涂布 異常 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于解決在高臺階基底條件下光刻膠涂布異常的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、在高臺階襯底上首先涂布一層可顯影抗反射材料，用于降低表面的臺階上需要涂光刻膠位置起伏的高度；
步驟二、在可顯影抗反射材料之上涂布光刻膠。
2.如權利要求1所述的用于解決在高臺階基底條件下光刻膠涂布異常的方法，其特征在于，前述可顯影抗反射材料的厚度小于光刻膠厚度。
3.如權利要求1所述的用于解決在高臺階基底條件下光刻膠涂布異常的方法，其特征在于，所使用的抗反射層材料為后續曝光過程中可以被顯影液溶解的可顯影的抗反射層材料。
4.如權利要求1所述的用于解決在高臺階基底條件下光刻膠涂布異常的方法，其特征在于，所述可顯影抗反射材料為在后續曝光過程中可以曝光產生光酸進行催化的可顯影抗反射材料，其應用波長和光刻膠應用波長不相等。
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