[發明專利]采用大馬士革工藝制備金屬柵極中接觸孔的方法有效
| 申請號： | 200810043751.6 | 申請日： | 2008-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN101661899A | 公開（公告）日： | 2010-03-03 |
| 發明（設計）人： | 陳福成;朱駿 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 大馬士革 工藝 制備 金屬 柵極 接觸 方法 | ||
1.一種采用大馬士革工藝制備金屬柵極中接觸孔的方法，在硅片上完成金屬柵極制備之后，其特征在于，包括如下步驟：
(1)制備側墻之后進行源漏離子注入形成源漏區，然后在源漏區硅表面上形成金屬硅化物；
(2)在硅片上淀積第一介質層，至覆蓋金屬柵極臺階；
(3)采用化學機械研磨法研磨第一介質層材料至金屬柵極上表面，后在第一介質層上淀積一層第二介質層；
(4)接著在所述第二介質層上淀積第三介質層；
(5)進行光刻工藝曝出源漏極接觸孔的位置，之后依次刻蝕第三介質層、第二介質層和第一介質層至金屬硅化物表面，形成源漏極接觸孔，之后去除光刻膠并清洗硅片；
(6)用濕法可顯影的填充材料涂覆硅片以填充步驟五中刻蝕出的接觸孔；
(7)用顯影液顯影步驟6中填充后的硅片，去除第三介質層表面的填充材料形成平整的硅片表面；
(8)進行第二次光刻曝出柵極接觸孔的位置以及在所述源漏極接觸孔上的金屬線位置，依次刻蝕第三介質層和第二介質層，至第一介質層表面，刻蝕出金屬線區域和柵極接觸孔；
(9)去除硅片上的光刻膠和源漏極接觸孔內的濕法可顯影材料，后用常規工藝清洗硅片；
(10)淀積互連金屬，填充所刻蝕出的金屬線區域、柵極接觸孔和源?漏極接觸孔，后采用化學機械研磨法平整化去除高于第三介質層上的互連金屬。
2.按照權利要求1所述的采用大馬士革工藝制備金屬柵極中接觸孔的方法，其特征在于：所述第一介質層與第三介質層相同，為TEOS二氧化硅或硼酸鹽玻璃；所述第二介質層為低K介電常數介質，其中K值在1.0～3.5之間，第二介質層厚度為50-5000埃。
3.按照權利要求2所述的采用大馬士革工藝制備金屬柵極中接觸孔的方法，其特征在于：所述第二介質層為碳化硅層。
4.按照權利要求1或2所述的采用大馬士革工藝制備金屬柵極中接觸孔的方法，其特征在于：所述濕法可顯影的填充材料由酮類，醚類，烷烴類有機溶劑、抗反射吸收材料、可與標準四甲基氫氧化銨顯影液反應的有機酸基團樹脂以及含氧、氟元素的有機基團樹脂構成，分子量在1000到50000之間。
5.按照權利要求1或2所述的采用大馬士革工藝制備金屬柵極中接觸孔的方法，其特征在于：所述金屬柵極在NMOS晶體管中為氮化鉭和二氧化鉿，在PMOS晶體管中為氮化鈦和二氧化鉿。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹NEC電子有限公司，未經上海華虹NEC電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810043751.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種風草魚制備方法
- 下一篇：林蛙卵氨基酸螯合鈣食品的生產方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
