[發明專利]帶隧穿氧化層的存儲器件制備中隧穿氧化層的制備方法

有效

• 申請號: 200810043733.8
• 申請日: 2008-08-25
• 公開（公告）號: CN101661879A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 王雷
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種帶隧穿氧化層的存儲器器件制備中隧穿氧化層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)襯底氧化生成第一層氧化層；

2)在第一層氧化層上淀積可顯影的抗反射材料作為襯底抗反射層；

3)涂光刻膠，光刻顯影后，隧穿氧化層區域的光刻膠和抗反射層被去除；

4)濕法刻蝕第一層氧化層至襯底去除所述隧穿氧化層區域的第一層氧化層，后去除剩余的光刻膠和可顯影的抗反射層；

5)進行第二次氧化處理，形成柵氧化層，且在所述隧穿氧化層區域生成隧穿氧化層。

2.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述可顯影的抗反射材料能溶解于顯影液。