[發明專利]T型金屬柵極的MOS晶體管制作工藝方法有效
| 申請號： | 200810043723.4 | 申請日： | 2008-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN101656212A | 公開（公告）日： | 2010-02-24 |
| 發明（設計）人： | 陳福成;朱駿 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 陳 平 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 柵極 mos 晶體管 制作 工藝 方法 | ||
1.一種T型金屬柵極的MOS晶體管制作工藝方法，所述方法應用于硅襯底的兩個淺溝槽隔離區之間，所述硅襯底之上具有一氧化硅層，其特征是：所述方法包括如下步驟：
第1步，在所述氧化硅層之上淀積一多晶硅層；
第2步，刻蝕所述多晶硅層與氧化硅層，刻蝕出T型多晶硅柵極，僅保留所述T型多晶硅柵極的下底面與硅襯底之間的氧化硅層；
第3步，在所述硅襯底之上和所述T型多晶硅柵極四周形成氧化硅層，所形成的氧化硅層與第2步保留的氧化硅層融為一體，所述融為一體的氧化硅層作為所述T型多晶硅柵極的襯墊層；
所述襯墊層在所述硅襯底之上和所述T型多晶硅柵極四周；
第4步，在所述T型多晶硅柵極兩側的硅襯底先進行光刻形成源區、漏區，再對源區、漏區進行輕摻雜漏注入；
第5步，在所述T型多晶硅柵極兩側的氧化硅層之外形成側墻，在所述側墻之外的源區、漏區進行源/漏注入形成所述MOS晶體管的源極和漏極；
所述側墻在所述T型多晶硅柵極兩側的襯墊層之外；
第6步，在所述側墻之外的所述源極和漏極之上制作一金屬硅化物層；
第7步，在所述源極、漏極、側墻和T型多晶硅柵極之上的氧化硅層之上淀積一金屬前電介質層；
所述金屬前電介質層在所述硅片的整個表面；
第8步，化學機械研磨所述金屬前電介質層和所述T型多晶硅柵極之上的氧化硅層，直至露出所述T型多晶硅柵極為止；
第9步，刻蝕去除所述T型多晶硅柵極形成一T型孔洞；
第10步，向所述T型孔洞中填充金屬形成所述MOS晶體管的T型金屬柵極。
2.根據權利要求1所述的T型金屬柵極的MOS晶體管制作工藝方法，其特征是：所述方法的第7步中，所述金屬前電介質層在所述T型多晶硅柵極之上的氧化硅層之上的高度為1000至
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
