[發明專利]EEPROM器件制備中寫入柵極頂角圓化的方法

有效

• 申請號: 200810043326.7
• 申請日: 2008-05-06
• 公開（公告）號: CN101577253A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發明（設計）人: 呂煜坤;孫娟
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3065
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

1.EEPROM器件制備中寫入柵極頂角圓化的方法，其特征在于，在制備寫入柵極的多晶硅淀積之后，包括以下步驟：

第一步，多晶硅的刻蝕，形成多晶硅頂角；

第二步，采用等離子刻蝕工藝進行光刻膠橫向裁減，去除多晶硅頂角上方的光刻膠；

第三步，采用等離子刻蝕中的離子轟擊使多晶硅頂角圓化；

第四步，去除光刻膠。

2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟二中光刻膠的橫向裁減采用Cl₂、O₂和HBr為刻蝕氣體。

3.按照權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟二中光刻膠的橫向裁減的刻蝕工藝條件：源功率為200～1200W，偏轉功率為0～200W，氣體壓力為10～150mT，Cl₂氣體流量為0～200sccm，HBr氣體流量為0～300sccm，O₂流量為0～200sccm。

4.按照權利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟二中光刻膠的橫向裁減的刻蝕工藝條件：源功率為300～1000W，偏轉功率為0～100W，氣體壓力為30～100mT，Cl₂氣體流量為10～150sccm，HBr氣體流量為20～200sccm，O₂流量為30～150sccm。

5.按照權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟三中多晶硅頂角圓化處理的等離子刻蝕的工藝條件為：源功率為80～800W，偏轉電壓為60～600W，氣體壓力為2～50mT，Cl₂氣體流量為0～100sccm，HBr氣體流量為0～200sccm，O₂流量為0～30sccm，Ar流量為30～250sccm。

6.按照權利要求5所述的的方法，其特征在于，所述步驟三中多晶硅頂角圓化處理的等離子刻蝕的工藝條件為：源功率為100～400W，偏轉電壓為250～500W，氣體壓力為2～20mT，Cl₂氣體流量為10～50sccm，HBr氣體流量為10～80sccm，O₂流量為1～20sccm，Ar流量為80～200sccm。