[發明專利]胺類化合物的應用以及一種化學機械拋光液

無效

• 申請號: 200810042567.X
• 申請日: 2008-09-05
• 公開（公告）號: CN101665661A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 陳國棟;姚穎;宋偉紅
• 申請（專利權）人: 安集微電子科技（上海）有限公司
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02
• 代理公司: 上海翰鴻律師事務所
• 代理人: 李佳銘

1、一種如式1所示的胺類化合物在制備用于拋光氧化物介電質的拋光液中的應用；

式1

其中，R₁、R₂和R₃分別為氫、(CH₂)_nCOOR₄或(CH₂)_nCONH₂，但不同時為氫；n為0或1；R₄為氫、堿金屬離子、銨離子或碳原子數1～4的烷基。

2、如權利要求1所述的應用，其特征在于：當所述的R₁、R₂和R₃中只有任一基團為氫時，其他兩個基團相同；當R₁、R₂和R₃皆不為氫時，R₁＝R₂＝R₃。

3、如權利要求1所述的應用，其特征在于：所述的堿金屬離子為鉀離子或鈉離子。

4、如權利要求1所述的應用，其特征在于：所述的胺類化合物為氨三乙酸、氨三乙酸鹽、氨三乙酸甲酯、氨三乙酸乙酯、氨三乙酸丙酯、氨三乙酸丁酯、亞氨基二乙酸、亞氨基二乙酸鹽、亞氨基二乙酸甲酯、亞氨基二乙酸乙酯、亞氨基二乙酸丙酯、亞氨基二乙酸丁酯、氨基甲酰胺或亞氨基酸銨類。

5、一種化學機械拋光液，其特征在于：其含有如式1所示的胺類化合物中的一種或多種、二氧化硅、表面活性劑和水；

式1

其中，R₁、R₂和R₃分別為氫、(CH₂)_nCOOR₄或(CH₂)_nCONH₂，但不同時為氫；n為0或1；R₄為氫、堿金屬離子、銨離子或碳原子數1～4的烷基。

6、如權利要求5所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的胺類化合物中，當所述的R₁、R₂和R₃中只有任一基團為氫時，其他兩個基團相同；當R₁、R₂和R₃皆不為氫時，R₁＝R₂＝R₃。

7、如權利要求5所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的胺類化合物中，所述的堿金屬離子為鉀離子或鈉離子。

8、如權利要求5所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的胺類化合物為氨三乙酸、氨三乙酸鹽、氨三乙酸甲酯、氨三乙酸乙酯、氨三乙酸丙酯、氨三乙酸丁酯、亞氨基二乙酸、亞氨基二乙酸鹽、亞氨基二乙酸甲酯、亞氨基二乙酸乙酯、亞氨基二乙酸丙酯、亞氨基二乙酸丁酯、氨基甲酰胺或亞氨基酸銨類。

9、如權利要求5所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的胺類化合物的含量為質量百分比0.1～3％。

10、如權利要求9所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的胺類化合物的含量為質量百分比0.1％～1％。

11、如權利要求5所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的二氧化硅的含量為質量百分比10～30％。

12、如權利要求11所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的二氧化硅的含量為質量百分比10～20％。

13、如權利要求5所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的二氧化硅的粒徑為30～120nm。

14、如權利要求5所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的二氧化硅為溶膠型二氧化硅；所述的溶膠型二氧化硅中二氧化硅膠體顆粒的濃度為質量百分比20～50％。

15、如權利要求5所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的表面活性劑的用量為小于或等于0.2％，但不包括0％；百分比為質量百分比。

16、如權利要求5所述的化學機械拋光液，其特征在于：所述的表面活性劑為非離子型和/或兩性型表面活性劑。