[發明專利]層間介質層、半導體器件及其形成方法

無效

• 申請號: 200810042326.5
• 申請日: 2008-08-29
• 公開（公告）號: CN101661898A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 李健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/31;H01L21/336;H01L23/522;H01L23/532;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所（普通合伙）
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1.一種層間介質層的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在半導體襯底上形成第一介質層；

在第一介質層上形成第二介質層，所述第二介質層的致密性大于第一介質層；

平坦化第二介質層。

2.根據權利要求1所述層間介質層的形成方法，其特征在于，所述第二介質層的材料為未摻雜硅玻璃。

3.根據權利要求2所述層間介質層的形成方法，其特征在于，形成第二介質層的方法為等離子體增強化學氣相沉積法。

4.根據權利要求3所述層間介質層的形成方法，其特征在于，所述平坦化前第二介質層的厚度為5000埃～6000埃，平坦化后第二介質層的厚度為1000埃～2000埃。

5.根據權利要求1所述層間介質層的形成方法，其特征在于，所述第一介質層的材料為磷酸硅玻璃。

6.根據權利要求5所述層間介質層的形成方法，其特征在于，形成第一介質層的方法為高密度等離子體化學氣相沉積法。

7.根據權利要求6所述層間介質層的形成方法，其特征在于，所述第一介質層的厚度為1000埃～2000埃。

8.一種層間介質層，包括第一介質層，其特征在于，還包括：位于第一介質層上的第二介質層，第二介質層的致密性大于第一介質層。

9.根據權利要求8所述層間介質層，其特征在于，所述第二介質層的材料為未摻雜硅玻璃。

10.根據權利要求8所述層間介質層，其特征在于，所述第一介質層的材料為磷酸硅玻璃。

11.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有柵極，位于柵極兩側半導體襯底中的源/漏極；

在半導體襯底上形成第一介質層；

在第一介質層上形成第二介質層，所述第二介質層的致密性大于第一介質層；

平坦化第二介質層；

在第二介質層及第一介質層中形成暴露柵極或源/漏極的接觸孔；

在接觸孔內填充導電材料。

12.根據權利要求11所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二介質層的材料為未摻雜硅玻璃。

13.根據權利要求12所述半導體器件的形成方法，其特征在于，形成第二介質層的方法為等離子體增強化學氣相沉積法。

14.根據權利要求13所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述平坦化前第二介質層的厚度為5000埃～6000埃，平坦化后第二介質層的厚度為1000埃～2000埃。

15.根據權利要求11所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層的材料為磷酸硅玻璃。

16.根據權利要求15所述半導體器件的形成方法，其特征在于，形成第一介質層的方法為高密度等離子體化學氣相沉積法。

17.根據權利要求16所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層的厚度為1000埃～2000埃。

18.一種半導體器件，包括位于半導體襯底上的柵極，位于柵極兩側半導體襯底中的源/漏極，其特征在于，還包括：位于半導體襯底上的第一介質層，位于第一介質層上的第二介質層，所述第二介質層的致密性大于第一介質層，位于第二介質層及第一介質層中且暴露柵極或源/漏極的接觸孔，填充滿接觸孔的導電材料。

19.根據權利要求18所述半導體器件，其特征在于，所述第二介質層的材料為未摻雜硅玻璃。

20.根據權利要求18所述半導體器件，其特征在于，所述第一介質層的材料為磷酸硅玻璃。