[發明專利]增強硅基成像器件紫外響應無機薄膜的制備方法無效
| 申請號: | 200810041913.2 | 申請日: | 2008-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN101345271A | 公開(公告)日: | 2009-01-14 |
| 發明(設計)人: | 張大偉;劉猛;田鑫;倪爭技;黃元申;莊松林 | 申請(專利權)人: | 上海理工大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海東創專利代理事務所 | 代理人: | 寧芝華 |
| 地址: | 20009*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 增強 成像 器件 紫外 響應 無機 薄膜 制備 方法 | ||
1.增強硅基成像器件紫外響應無機薄膜的制備方法,其特征在于:在光電器件光敏面基片的光入射面采用旋轉鍍膜的方法生成Zn2SiO4∶Mn膜層,該膜層將紫外光轉化為可見光;步驟如下:首先將Zn2SiO4∶Mn和甲基丙烯酸甲酯配制成溶膠,充分攪拌,然后將溶膠置于光敏面基片,利用旋轉鍍膜機制得初步鍍膜后,再滴入甲苯,繼續重復旋轉鍍膜,剝去甲基丙烯酸甲酯成分,得到Zn2SiO4∶Mn膜層。
2.根據權利要求1所述的增強硅基成像器件紫外響應無機薄膜的制備方法,其特征在于:所述的Zn2SiO4和Mn的質量比為Zn2SiO4∶Mn=100∶2.4。
3.根據權利要求1所述的增強硅基成像器件紫外響應無機薄膜的制備方法,其特征在于:所述的甲基丙烯酸甲酯和Zn2SiO4∶Mn熒光粉按質量比1∶0.94:配制。
4.根據權利要求1所述的增強硅基成像器件紫外響應無機薄膜的制備方法,其特征在于:所述的旋轉鍍膜選用6-10r/s2(轉/平方秒)加速度啟動旋轉鍍膜機進行勻膠,選用旋轉速度4000--6000r/min(轉/分鐘)進行旋轉鍍膜,最后選用6-10r/s2(轉/平方秒)負加速度停止鍍膜機。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海理工大學,未經上海理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810041913.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:發光二極管燈具
- 下一篇:內外炭床多層火焰電壁爐
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





