[發明專利]基于多光刻膠有效擴散長度的光學臨近修正模型校準方法

有效

• 申請號: 200810041891.X
• 申請日: 2008-08-19
• 公開（公告）號: CN101349862A
• 公開（公告）日: 2009-01-21
• 發明（設計）人: 朱亮
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈蘅

技術領域

本發明涉及一種光學臨近修正模型校準方法，且特別涉及一種基于多光刻 膠有效擴散長度的光學臨近修正模型校準方法。

背景技術

一般來說，光刻模型總是試圖盡可能精確的描述光刻工藝的每個物理現象， 但是在很多時候，出于全芯片運算時間的考慮，光學臨近修正模型(OPC)工 具通常采用半經驗化的擴散光學影像(DAIM)模型，在保證一定仿真精度的條 件下同時獲得較快的運算速度。

為了簡化整個校準流程，工業界的通常做法是對所有的測試圖形使用同一 個光刻膠有效擴散長度。另一方面，隨著關鍵尺寸的不斷變小，不同測試圖形 之間光刻膠有效擴散長度的差別越來越明顯，這在近年來的文獻中常有報道， 圖1為經典的光學臨近修正模型校準方法的流程示意圖，包括步驟S11：校準數 據量測；步驟S12：使用一維圖形數據校準光學模型(數值孔徑，想干系數，焦 距，景深)；步驟S13：使用一維/二維圖形數據校準光刻膠模型(有效擴散長 度)；步驟S14：判斷采樣點仿真誤差是否在允許范圍以內，若在允許范圍以內， 則進行下一步驟，若不在允許范圍以內，則轉向步驟S12；步驟S15：模型驗證； 步驟S16：判斷驗證結果是否在允許范圍以內，若在允許范圍以內，則進行下一 步驟，若不在允許范圍以內，則轉向步驟S12；步驟S17：模型輸出。圖3至圖 5為經典的光學臨近修正模型的校準結果，縱軸為仿真誤差，橫軸為圖形尺寸， 從整個誤差的分布來看，很難同時將一維圖形和二維圖形校準的很好，其原因 為在校準過程中使用了單一的光刻膠有效擴散長度，而在物理上，光刻膠有效 擴散長度因圖形而異，尤其在一維和二維圖形之間，二維圖形因為光酸從幾個 方向同時擴散，因而具有比一維圖形更大的光刻膠有效擴散長度，所以很難同 時校準好一維圖形和二維圖形。

發明內容

為了克服已有技術中存在的缺點，本發明提供一種校準方法，可以降低校 準誤差，提高校準的精度。

為了實現上述目的，本發明提出一種基于多光刻膠有效擴散長度的光學臨 近修正模型校準方法，其包括步驟S21：校準數據量測；步驟S22：使用一維圖 形數據校準光學模型；步驟S23：判斷圖形為一維圖形還是二維圖形，若為一維 圖形，則轉入步驟S24，若為二維圖形，則轉入步驟S25；步驟S24：使用一維 圖形數據校準一維光刻膠模型，轉入步驟S26；步驟S25：使用二維圖形數據校 準二維光刻膠模型，轉入步驟S26；步驟S26：判斷采樣點仿真誤差是否在設定 的范圍內，若在設定的范圍內，則進行下一步驟，若不在，則轉向步驟S22；步 驟S27：模型驗證；步驟S28：判斷驗證結果是否在設定的范圍內，若在設定的 范圍內，則進行下一步驟，若不在，則轉向步驟S22；步驟S29：模型輸出。

可選地，所述光學模型具有數值孔徑、相干系數、焦距和景深的參數。

可選地，所述一維光刻膠模型具有一維有效擴散長度的參數。

可選地，所述二維光刻膠模型具有二維有效擴散長度的參數。

可選地，為所述仿真誤差設定的范圍對一維圖形為-5nm至5nm；對二維圖 形為-10nm至10nm；

可選地，為所述驗證結果設定的范圍對一維圖形為-5nm至5nm；對二維圖 形為-10nm至10nm

與現有技術相比，本技術方案具有以下優點：將一維圖形和二維圖形分開 處理，使用和一維圖形與二維圖形相對應的光刻膠有效擴散長度，能同時很好 的校準一維圖形和二維圖形，降低了校準誤差，提高了校準的精度。

附圖說明

圖1為背景技術中光學臨近修正模型校準方法的流程示意圖；

圖2為本發明的一個具體實施方式的流程示意圖；

圖3至圖5為背景技術中光學臨近修正模型的校準結果圖；

圖6至圖8為本發明的一個具體實施方式的校準結果圖；

圖9至圖14為本發明的一個具體實施方式校準結果的說明圖；

圖15為靜態隨機儲存器多晶硅層的典型圖案；

圖16為靜態隨機儲存器多晶硅層的電子掃描圖；

圖17為靜態隨機儲存器多晶硅層的仿真圖；

圖18為一個二維圖形的圖案；

圖19為一個二維圖形的電子掃描圖；

圖20為一個二維圖形的仿真圖；

圖21至圖23為圖20的局部放大圖。

具體實施方式