[發明專利]有源區結構

有效

• 申請號: 200810041882.0
• 申請日: 2008-08-19
• 公開（公告）號: CN101656256A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 蔡建祥
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所（普通合伙）
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1.一種有源區結構，所述有源區為半導體襯底內的第二類有源區，所述第二類有源區為非存儲單元器件制作區域的有源區，所述第二類有源區表面覆蓋有柵氧化層；所述柵氧化層上具有與第二類有源區位置對應的源選擇柵；其特征在于，所述第二類有源區中還包括一絕緣物井區，所述絕緣物井區同所述柵氧化層接觸，所述絕緣物井區與用于連接源選擇柵的互連結構的位置對準。

2.如權利要求1所述的有源區結構，其特征在于，所述源選擇柵的互連結構為源選擇柵接觸孔，所述源選擇柵接觸孔垂直投影在所述有源區上的區域位于所述絕緣物井區內。

3.如權利要求1所述的有源區結構，其特征在于，所述絕緣物井區為隔離淺溝槽。

4.如權利要求1所述的有源區結構，其特征在于，所述第二類有源區為阱引出有源區。

5.如權利要求1所述的有源區結構，其特征在于，所述柵氧化層為二氧化硅材料，所述源選擇柵為導體材料。

6.如權利要求5所述的有源區結構，其特征在于，所述源選擇柵為多晶硅材料。