[發(fā)明專利]抑制金屬焊盤腐蝕的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810041881.6 | 申請日: | 2008-08-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101654774A | 公開(公告)日: | 2010-02-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 虞勤琴;段淑卿;李明;務(wù)林鳳 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/34 | 分類號(hào): | C23C16/34;C23C16/52;C23F4/00;C23F17/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 屈 蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 抑制 金屬 腐蝕 方法 | ||
1.抑制金屬焊盤腐蝕的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:在制作好的金屬焊盤上形成氮化鈦層;
步驟2:將所述氮化鈦層在金屬焊盤上保留預(yù)設(shè)時(shí)間后,去除氮化鈦層;其中所述金屬焊盤材料為銅和鋁的合金。
2.如權(quán)利要求1所述的抑制金屬焊盤腐蝕的方法,其特征在于,所述步驟1中形成的氮化鈦層的厚度為700~1000埃。
3.如權(quán)利要求1所述的抑制金屬焊盤腐蝕的方法,其特征在于,所述步驟1中形成氮化鈦采用化學(xué)氣相沉積法,沉積溫度為440~460攝氏度,真空壓力為1.5~2托,沉積時(shí)間為100~135秒。
4.如權(quán)利要求1所述的抑制金屬焊盤腐蝕的方法,其特征在于,所述步驟2中金屬焊盤上氮化鈦停留的預(yù)設(shè)時(shí)間至少為2小時(shí)。
5.如權(quán)利要求1所述的抑制金屬焊盤腐蝕的方法,其特征在于,所述步驟2中金屬焊盤上氮化鈦停留的環(huán)境為常溫常壓的潔凈室。
6.如權(quán)利要求1所述的抑制金屬焊盤腐蝕的方法,其特征在于,所述步驟2中采用干法蝕刻工藝去除氮化鈦層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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