[發(fā)明專利]選擇性發(fā)射極太陽能電池單元及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810041831.8 | 申請日： | 2008-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN101656273A | 公開（公告）日： | 2010-02-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林章申 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 李 麗 |
| 地址： | 201210*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 選擇性 發(fā)射極 太陽能電池 單元 及其 制造 方法 | ||
1.一種選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有埋柵電極的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元基體；
在太陽能電池單元基體的受光面形成防反射層；
在防反射層上形成母線；
使母線穿過防反射層與埋柵電極相連接；
所述形成具有埋柵電極的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元基體包括：
在半導(dǎo)體襯底中形成發(fā)射極溝槽；
在發(fā)射極溝槽附近的半導(dǎo)體襯底中形成發(fā)射極PN結(jié)；
在發(fā)射極溝槽中依次形成阻擋層、導(dǎo)電層和焊接層，組成埋柵電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述發(fā)射極溝槽的寬度為10～50μm，深度為10～50μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述母線的寬度為3000～5000μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底表面的方塊電阻大于100Ω/□。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述發(fā)射極溝槽表面的方塊電阻小于30Ω/□。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為鎳，導(dǎo)電層的材料為銅，焊接層的材料為銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為2～20μm，導(dǎo)電層的厚度為5～50μm，焊接層的厚度為5～50μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述母線的材料為銀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述母線與埋柵電極上下垂直排列。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述埋柵電極互相平行排列且排列間距相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述母線互相平行排列且排列間距相同。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，在形成選擇性發(fā)射極太陽能電池單元基體的過程中還包括形成子埋柵電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，所述子埋柵電極與埋柵電極在同一平面內(nèi)垂直相交，并且子埋柵電極位于母線的正下方，與母線上下平行排列。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元的制造方法，其特征在于，共燒太陽能電池單元基體，使母線受熱燒穿防反射層與埋柵電極相連接。
15.一種選擇性發(fā)射極太陽能電池單元，其特征在于，包括：
具有埋柵電極的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元基體；
形成于太陽能電池單元基體受光面的防反射層；
在防反射層上形成的母線，所述母線穿過防反射層與埋柵電極相連接；
所述具有埋柵電極的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元基體包括：
半導(dǎo)體襯底；
形成于半導(dǎo)體襯底中的發(fā)射極溝槽；
在發(fā)射極溝槽附近的半導(dǎo)體襯底中形成的發(fā)射極PN結(jié)；
在發(fā)射極溝槽中依次形成的阻擋層、導(dǎo)電層和焊接層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元，其特征在于，所述發(fā)射極溝槽的寬度為10～50μm，深度為10～50μm。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元，其特征在于，所述母線的寬度為3000～5000μm。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底表面的方塊電阻大于100Ω/□。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的選擇性發(fā)射極太陽能電池單元，其特征在于，所述發(fā)射極溝槽表面的方塊電阻小于30Ω/□。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
