[發(fā)明專利]化學(xué)機(jī)械研磨的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810041827.1
• 申請日: 2008-08-18
• 公開（公告）號: CN101656209A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣莉;邵穎;黎銘琦
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李 麗

1.一種化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，

在研磨層上無需研磨的區(qū)域形成研磨保護(hù)層；所述研磨層上無需研磨區(qū) 域低于需研磨區(qū)域；所述研磨層為覆蓋襯底的多晶硅層，所述襯底包括存儲 單元區(qū)域和外圍電路區(qū)域，所述存儲單元區(qū)域已形成有控制柵，所述存儲單 元區(qū)域?yàn)樾柩心^(qū)域，所述外圍電路區(qū)域?yàn)闊o需研磨區(qū)域；

選用對研磨層研磨速率大于對研磨保護(hù)層研磨速率的研磨漿，對所述研 磨層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨；

在化學(xué)機(jī)械研磨后，去除所述研磨保護(hù)層。

2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，在研磨層上無需 研磨的區(qū)域形成研磨保護(hù)層包括：

在研磨層上形成研磨保護(hù)層；

在研磨保護(hù)層上無需研磨區(qū)域形成光阻；

蝕刻去除無需研磨區(qū)域以外的研磨保護(hù)層。

3.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，所述蝕刻為濕法 蝕刻。

4.如權(quán)利要求3所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻的 蝕刻劑為磷酸。

5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，在研磨層上無需 研磨的區(qū)域形成研磨保護(hù)層包括：

在研磨層上的研磨區(qū)域形成遮蔽層；

在研磨層及遮蔽層上形成研磨保護(hù)層；

去除遮蔽層上的研磨保護(hù)層以及遮蔽層。

6.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，所述研磨漿為研 磨層和研磨保護(hù)層選擇比大于10的研磨漿。

7.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，所述研磨保護(hù)層 為氧化層。

8.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，所述氧化層為二 氧化硅或氮氧化硅。

9.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，所述氧化層的厚 度根據(jù)研磨漿的選擇比以及研磨所述研磨層的時(shí)間而定。

10.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，所述氧化層的 厚度為200至500埃。