[發(fā)明專利]NAND閃存及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810041826.7
• 申請(qǐng)日: 2008-08-18
• 公開（公告）號(hào): CN101656255A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊海玩;蔡建祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/8247;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李 麗

1.一種NAND閃存，包括柵極結(jié)構(gòu)以及其上的字線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所 述字線結(jié)構(gòu)包括柵極結(jié)構(gòu)上的多晶硅層、多晶硅層上的用于阻擋離子的屏蔽 層、屏蔽層上的導(dǎo)電層，所述屏蔽層為硅化鎢，所述導(dǎo)電層為硅化鈷，所述 多晶硅層的厚度為300埃。

2.如權(quán)利要求1所述的NAND閃存，其特征在于，所述屏蔽層的厚度為 400至500埃。

3.如權(quán)利要求1所述的NAND閃存，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度為 300埃。

4.一種NAND閃存的制作方法，包括提供柵極結(jié)構(gòu)以及在所述柵極結(jié)構(gòu)上 形成字線結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述柵極結(jié)構(gòu)上形成字線結(jié)構(gòu)包括下列步 驟：

在所述柵極結(jié)構(gòu)上形成多晶硅層，所述多晶硅層的厚度為300埃；

在所述多晶硅層上形成用于阻擋離子的屏蔽層，所述屏蔽層為硅化鎢；

在所述屏蔽層上形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為硅化鈷。

5.如權(quán)利要求4所述的NAND閃存的制作方法，其特征在于，所述屏蔽層 采用化學(xué)氣相淀積的方法形成。

6.如權(quán)利要求4所述的NAND閃存的制作方法，其特征在于，所述屏蔽層 的厚度為400至500埃。

7.如權(quán)利要求4所述的NAND閃存的制作方法，其特征在于，在所述屏蔽 層上形成導(dǎo)電層包括：

在所述屏蔽層上形成反應(yīng)層，所述反應(yīng)層為多晶硅，厚度為300埃；

在所述反應(yīng)層表面沉積鈷離子；經(jīng)過300℃的快速退火形成結(jié)晶的硅化 鈷；再經(jīng)過一次500℃的快速退火形成硅化鈷層。

8.如權(quán)利要求4所述的NAND閃存的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層 的厚度為300埃。