[發(fā)明專利]增強硅基成像器件紫外響應(yīng)的有機金屬薄膜制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810041823.3 | 申請日： | 2008-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN101339920A | 公開（公告）日： | 2009-01-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張大偉;田鑫;劉猛;倪爭技;黃元申;莊松林 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海理工大學 |
| 主分類號： | H01L21/82 | 分類號： | H01L21/82;H01L27/146;H01L27/148;H01L31/18;H01L31/09;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 上海東創(chuàng)專利代理事務(wù)所 | 代理人： | 寧芝華 |
| 地址： | 20009*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 增強 成像 器件 紫外 響應(yīng) 有機 金屬 薄膜 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.增強硅基成像器件紫外響應(yīng)的有機金屬薄膜制備方法，其特征在于：選取經(jīng)預(yù)烘烤的紫外變頻材料：有機金屬配價物Alq3粉末作為鍍膜材料，采取真空蒸鍍法在硅基成像器件光敏元表面將紫外變頻材料蒸鍍成膜；所述的經(jīng)預(yù)烘烤的有機金屬配價物Alq3粉末烘烤時間為6-12小時，溫度：300℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強硅基成像器件紫外響應(yīng)的有機金屬薄膜制備方法，其特征在于：所述制備變頻薄膜的真空蒸鍍法，蒸鍍條件為：真空度：2×10-3Pa；光學監(jiān)控波長：500nm；薄膜厚度：光學厚度125nm；蒸發(fā)電流：20A；烘烤溫度：200℃。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海理工大學，未經(jīng)上海理工大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810041823.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：多光譜感光器件及其制作方法
- 下一篇：一種治療頸淋巴結(jié)核的鼻栓劑
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
