[發(fā)明專利]一種聚偏氟乙烯可極化薄膜的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810041621.9 | 申請(qǐng)日： | 2008-08-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101649058A | 公開（公告）日： | 2010-02-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳同飛;楊桂生 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海杰事杰新材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C08J5/18 | 分類號(hào)： | C08J5/18;C08L27/16;C08K3/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 趙志遠(yuǎn) |
| 地址： | 201109*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 聚偏氟 乙烯 極化 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種聚偏氟乙烯可極化薄膜的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
(1)將蒙脫土分散于去離子水中，在50～90℃攪拌2～6小時(shí)，得到蒙脫土懸浮液，備用；
(2)將聚偏氟乙烯(PVDF)溶解于溶劑中制成聚偏氟乙烯溶液；
(3)將上述蒙脫土懸浮液和聚偏氟乙烯溶液混合均勻，在溫度低于150℃下澆注、揮發(fā)溶劑制得聚偏氟乙烯可極化薄膜，該薄膜中蒙脫土含量0.01wt％-20wt％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚偏氟乙烯可極化薄膜的制備方法，其特征在于，所述的蒙脫土包括陽離子交換能力大于45mequiv·100g-1的原土。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚偏氟乙烯可極化薄膜的制備方法，其特征在于，所述的蒙脫土懸浮液的濃度為0.01wt％-5wt％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚偏氟乙烯可極化薄膜的制備方法，其特征在于，所述的聚偏氟乙烯包括工業(yè)級(jí)聚偏氟乙烯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚偏氟乙烯可極化薄膜的制備方法，其特征在于，所述的溶劑包括N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聚偏氟乙烯可極化薄膜的制備方法，其特征在于，所述的N，N-二甲基甲酰胺包括工業(yè)級(jí)或者為化學(xué)純的N，N-二甲基甲酰胺，所述的N，N-二甲基乙酰胺包括工業(yè)級(jí)或者為化學(xué)純的N，N-二甲基乙酰胺。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚偏氟乙烯可極化薄膜的制備方法，其特征在于，所述的聚偏氟乙烯溶液的濃度為0.01wt％-20wt％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚偏氟乙烯可極化薄膜的制備方法，其特征在于，所述的步驟(3)中溶劑的揮發(fā)溫度為100℃-150℃。
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