[發(fā)明專利]一種可再編程的激光熔絲器件和連續(xù)調(diào)整熔絲電阻的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810041395.4
• 申請日: 2008-08-05
• 公開（公告）號: CN101335258A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張挺;宋志棠;劉波;封松林;陳邦明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 潘振甦

1、用于集成電路器件的可再編程激光熔絲器件，其特征在于采用相變材料制作成熔絲，以替代金屬線作熔絲，利用激光對相變材料熔絲進(jìn)行編程。

2、按權(quán)利要求1所述的用于集成電路器件的可再編程激光熔絲器件，其特征在于所述的相變材料的相變是由結(jié)晶態(tài)到非晶態(tài)轉(zhuǎn)變或是由非晶態(tài)到結(jié)晶態(tài)的轉(zhuǎn)變。

3、按權(quán)利要求1所述的用于集成電路器件的可再編程激光熔絲器件，其特征在于所述的相變材料相變前后的材料的電阻率差異至少一個(gè)數(shù)量級。

4、按權(quán)利要求1、2或3所述的用于集成電路器件的可再編程激光熔絲器件，其特征在于所述的相變材料為具有相變能力的硅銻合金材料、鍺銻合金材料或鍺銻碲合金材料。

5、按權(quán)利要求1、2或3所述的用于集成電路器件的可再編程激光熔絲器件，其特征在于使用激光使作為熔絲的相變材料實(shí)現(xiàn)相變的。

6、按權(quán)利要求1所述的用于集成電路器件的可再編程激光熔絲器件，其特征在于所述的熔絲長度為5微米，寬度為2微米。

7、按權(quán)利要求1所述的可再編程激光熔絲器件的連續(xù)調(diào)整熔絲電阻的方法，其特征在于通過改變輻照激光信號的條件來實(shí)現(xiàn)的，也即通過編程激光的調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)熔絲的部分晶化或部分非晶化的區(qū)域尺寸的改變，最終得到不同電阻值的熔絲點(diǎn)。

8、按權(quán)利要求7所述的可再編程激光熔絲器件的連續(xù)調(diào)整熔絲電阻的方法，其特征在于當(dāng)熔絲初始態(tài)為非晶態(tài)熔絲進(jìn)行加熱，使被加熱部分材料溫度升高到結(jié)晶溫度以上，被輻照部分的材料區(qū)域結(jié)晶形成結(jié)晶區(qū)域，調(diào)節(jié)單次編程激光在熔絲長度方向上的位移，進(jìn)行單次編程使結(jié)晶的區(qū)域的尺寸不斷變大，從而使電阻值變小。

9、按權(quán)利要求7或8所述的可再編程激光熔絲器件的連續(xù)調(diào)整熔絲電阻的方法，其特征在于編程的區(qū)域在于一對電極之間的熔絲。

10、按權(quán)利要求7或8所述的可再編程激光熔絲器件的連續(xù)調(diào)整熔絲電阻的方法，其特征在于通過改變激光束斑大小、單次編程的激光能量、輻照時(shí)間以及移動(dòng)的位置，能獲得熔絲的多個(gè)電阻狀態(tài)。