[發明專利]CMOS圖像傳感器及其形成方法、半導體器件形成方法有效
| 申請號： | 200810041370.4 | 申請日： | 2008-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN101645419A | 公開（公告）日： | 2010-02-10 |
| 發明（設計）人： | 羅飛;朱虹 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/822 | 分類號： | H01L21/822;H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李 麗 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 圖像傳感器 及其 形成 方法 半導體器件 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括下列步驟：
提供包含外圍電路區和像素單元區的半導體襯底；
在半導體襯底上形成第一墊氧化層；
去除外圍電路區的第一墊氧化層；
在第一墊氧化層和半導體襯底上形成第二墊氧化層；
刻蝕外圍電路區的第二墊氧化層和半導體襯底，像素單元區的第二墊氧化 層、第一墊氧化層和半導體襯底，在外圍電路區形成第一淺溝槽，在像素單 元區形成第二淺溝槽，所述第一淺溝槽比第二淺溝槽深；
在第一淺溝槽和第二淺溝槽內填充滿絕緣氧化層后，去除第二墊氧化層和 第一墊氧化層；
在外圍電路區和像素單元區的半導體襯底上形成晶體管。
2.根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第 一墊氧化層的厚度為200埃～400埃。
3.根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第 二墊氧化層的厚度為80埃～150埃。
4.根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第 一淺溝槽比第二淺溝槽深200埃～400埃。
5.根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，形成第 一墊氧化層之后，去除外圍電路區的第一墊氧化層之前，還包括：在第一 墊氧化層上形成光刻膠層；
去除外圍電路區的光刻膠層。
6.根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第 二墊氧化層上還形成有阻擋層。
7.根據權利要求6所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述阻 擋層的材料為氮化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
