[發明專利]快速制備SiC納米線的方法無效
| 申請號： | 200810041205.9 | 申請日： | 2008-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN101327929A | 公開（公告）日： | 2008-12-24 |
| 發明（設計）人： | 張亞非;王峰磊;張麗英 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | C01B31/36 | 分類號： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 上海交達專利事務所 | 代理人： | 王錫麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 快速 制備 sic 納米 方法 | ||
1.一種快速制備SiC納米線的方法，其特征在于，包括如下步驟：
a、按照質量百分比將SiO粉為33.3％-66.7％、焦炭為33.3％-66.7％進行混合；
b、將混合物放入球磨機，球磨，制備反應原料；
所述球磨，其時間為6-24小時，速度為400轉/分鐘；
c、將反應原料放入石墨管制作的坩堝中，置于密閉石英管內，使用真空泵抽真空；
所述抽真空，是指抽真空至50Pa-100Pa；
d、在石英管內通入氬氣或者氮氣，調節進氣流量，控制管內氣壓在0.02-0.04MPa；
e、采用石英管外纏繞的高頻感應電源線圈對石墨坩堝進行加熱，在3min內升至1600℃，保溫；
所述保溫，其時間為20min-60min；
f、氬氣或者氮氣保護下隨爐冷卻至室溫，即得到SiC納米線。
2.根據權利要求1所述的快速制備SiC納米線的方法，其特征是，步驟a中，按質量百分比為SiO粉為33.3％，焦炭為66.7％進行混合。
3.根據權利要求1所述的快速制備SiC納米線的方法，其特征是，步驟a中，按質量百分比為SiO粉為50％，焦炭為50％進行混合。
4.根據權利要求1所述的快速制備SiC納米線的方法，其特征是，步驟a中，按質量百分比為SiO粉為66.7％，焦炭為33.3％進行混合。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的快速制備SiC納米線的方法，其特征是，所述SiO粉、焦炭，其純度均為99.9％以上。
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