[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積的預(yù)處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810041181.7
• 申請(qǐng)日: 2008-07-30
• 公開（公告）號(hào): CN101638776A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翟志剛;陳彤;李瑞秋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/02
• 分類號(hào): C23C16/02
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1.一種化學(xué)氣相沉積的預(yù)處理方法，其特征在于，步驟包括：在置入產(chǎn)品晶 圓前，將表面薄膜成分與產(chǎn)品晶圓所需化學(xué)氣相沉積的薄膜成分不相同的 擋片晶圓置入晶舟中，并在擋片晶圓表面預(yù)先沉積一層與產(chǎn)品晶圓所需化 學(xué)氣相沉積的薄膜成分相同的薄膜，之后，將產(chǎn)品晶圓置入晶舟中，沉積 產(chǎn)品晶圓所需化學(xué)氣相沉積的薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述預(yù)先沉積為化學(xué)氣相沉積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述在擋片晶圓表面預(yù)先沉積的 薄膜厚度為10-5000埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述晶圓所需化學(xué)氣相沉積的薄 膜成分為氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述擋片晶圓的表面薄膜成分為 二氧化硅。