[發(fā)明專利]動態(tài)相變存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810040851.3 | 申請日： | 2008-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN101315811A | 公開（公告）日： | 2008-12-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張挺;宋志棠;劉波;封松林;陳邦明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 |
| 主分類號： | G11C11/56 | 分類號： | G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 200050*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 動態(tài) 相變 存儲器 | ||
1.一種動態(tài)相變存儲器，其特征在于：所述存儲器的存儲介質(zhì)采用熔點在200℃到640℃之間、結晶溫度在40℃到120℃之間的相變材料；所述存儲器包括定期刷新模塊，用以定期地對存儲有高電阻態(tài)的存儲單元進行數(shù)據(jù)刷新，將電阻下降的單元重新設定到高電阻態(tài)。
2.根據(jù)權利要求1所述的動態(tài)相變存儲器，其特征在于：所述相變材料的熔點在200℃到500℃之間。
3.根據(jù)權利要求1所述的動態(tài)相變存儲器，其特征在于：所述存儲器用功耗小于20mW的功耗對器件進行編程。
4.根據(jù)權利要求3所述的動態(tài)相變存儲器，其特征在于：所述存儲器的功耗小于10mW。
5.根據(jù)權利要求1所述的動態(tài)相變存儲器，其特征在于：所述相變材料在電信號的作用下實現(xiàn)高電阻和低電阻之間的可逆變化。
6.根據(jù)權利要求1所述的動態(tài)相變存儲器，其特征在于：所述相變材料為SbTe合金材料、或AgInSbTe合金、或Sb材料、或?qū)b材料進行的摻雜、或Sn基相變材料、或GeSbTe合金。
7.根據(jù)權利要求1所述的動態(tài)相變存儲器，其特征在于：所述存儲器為雙級存儲，或為多級存儲。
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