[發明專利]微型處理器控制的穩磁裝置無效
| 申請號: | 200810040706.5 | 申請日: | 2008-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN101404200A | 公開(公告)日: | 2009-04-08 |
| 發明(設計)人: | 翁新華;朱愛 | 申請(專利權)人: | 上海交通大學 |
| 主分類號: | H01F13/00 | 分類號: | H01F13/00 |
| 代理公司: | 上海交達專利事務所 | 代理人: | 王錫麟;王桂忠 |
| 地址: | 200240*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 處理器 控制 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種消磁技術領域的裝置,具體是一種微型處理器控制的穩磁裝置。
背景技術
現有的脈沖式充退磁裝置在螺線管線圈或其它結構磁場線圈夾具內產生交變磁場,對永磁材料進行充磁。通過電子開關控制電流逐次正反交替逐漸減小從而獲得正反交變減幅磁場,對充磁體進行退磁。
經對現有技術文獻檢索發現,中國專利申請號:200510009811.9,專利名稱為“減幅振蕩式退磁裝置”,該專利包含脈沖式電源,它還包含互感線圈、電容器;互感線圈是由線圈2-1、線圈2-2共同繞制而成的空心互感線圈;線圈2-2的首末端分別連接電容器的兩端,線圈2-1的首末端分別連接脈沖式電源1的兩個輸出端。該專利是采用互感耦合式減幅振蕩退磁技術來獲得足夠的波數和減幅率的交變磁場使永磁體完全退磁。該專利形成自由減幅振蕩電流,當交變退磁電流脈沖在斷開、閉合時間上的存在隨機性,缺乏可控性。故該專利所涉及的減幅振蕩式退磁技術無法對充磁到飽和狀態下的永久磁鋼體退去預先設定的減率磁通密度,并無法將其穩定在預先設定的精確比率的磁通密度范圍之內。
發明內容
本發明的目的是針對上述現有技術的不足,提供了一種微型處理器控制的穩磁裝置,通過微型處理器控制的高精度穩磁裝置精確控制其在磁飽和的狀態下的磁鋼體零部件按一定減率進行精確退磁,其穩定精度滿足航天航空工業制造領域對飽和磁鋼體零部件進行精確退磁以達到其預先設定的退磁減率,使制造工藝達到穩磁的設計技術要求。
本發明是通過如下技術方案實現的,本發明包括:儲能電容C、穩磁線圈L、雙向可控硅(SCR)K、限流電阻R0、取樣分壓第一電阻R1、取樣分壓第二電阻R2、取樣分壓第三電阻R3、取樣分壓第四電阻R4、測控單元、微型處理器、穩磁值設置單元、顯示單元,取樣分壓第一電阻R1與取樣分壓第二電阻R2、取樣分壓第三電阻R3、取樣分壓第四電阻R4串聯連接,形成三個分壓值以供測控單元取樣,儲能電容C并接于取樣分壓第一電阻R1、取樣分壓第二電阻R2、取樣分壓第三電阻R3、取樣分壓第四電阻R4串聯連接的兩端,穩磁線圈L與儲能電容C和限流電阻R0連接,形成一個充放電回路,充電時產生的電流對放置在穩磁線圈L內的磁鋼體進行充磁,放電時對放置在穩磁線圈L內的磁鋼體進行退磁,穩磁線圈L的一端與雙向可控硅K一端連接,雙向可控硅K的另一端與測控單元和微型處理器分別連接,作為電路的充放電控制開關,微型處理器根據反饋信號控制雙向可控硅K的通斷,顯示負責檢測磁通量密度值,一端與微處理單元相連,穩磁值設定單元分別與測控單元、微型處理器、取樣分壓第四電阻R4相連,用于設定穩磁值。
所述的測控單元,通過磁通量分級選擇開關與取樣分壓第一電阻R1、取樣分壓第二電阻R2、取樣分壓第三電阻R3、取樣分壓第四電阻R4取樣連接,磁通量分級選擇開關LW分別對四個電阻進行電流與電壓值的取樣,所得到取樣值的數據將傳輸給微型處理器,由微型處理器根據取樣數據進行計算處理,再發出指令反饋給雙向可控硅K控制充放電回路的通斷。
所述的顯示單元,包括特斯拉計和信號指示燈,特斯拉計包括:指針式表盤、檢測探頭,檢測探頭與經減率退磁的磁鋼體零部件的S極和N極接觸,實時檢測磁通量密度值,指針式表盤則直接實時顯示檢測得到的數據;信號指示燈包括:電源指示燈、自動工作指示燈、手動工作指示燈、穩磁工作指示燈,信號指示燈直接與微型處理器的I/O輸出接口連接。
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