[發明專利]通過延伸電極減少出光遮擋提高出光效率的發光二極管芯片及其制作工藝

無效

• 申請號: 200810040634.4
• 申請日: 2008-07-16
• 公開（公告）號: CN101369621A
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發明（設計）人: 殷錄橋;張建華;馬可軍;李抒智;楊衛橋;郭延生
• 申請（專利權）人: 上海大學;上海半導體照明工程技術研究中心
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海上大專利事務所（普通合伙）
• 代理人: 何文欣

1.一種通過延伸電極減少出光遮擋提高出光效率的發光二極管芯片，包括：p型電極pad(1)、n型電極pad(2)、發光有源層(3)、襯底(4)和透明電流擴展層(5)，其特征在于在芯片四周有淀積的絕緣層(7)與發光有源層(3)齊平，在芯片四周n型金pad除外，絕緣層(7)上方有輔助電流擴展層(6)，在輔助電流擴展層(6)上制作p型近pad。

2.根據權利要求1所述的通過延伸電極減少出光遮擋提高出光效率的發光二極管芯片，其特征在于所述透明電流擴展層(5)為ITO電流擴展層，或者鎳金電流擴展層，或者p型氧化鋅電流擴展層。

3.一種根據權利要求1所述通過延伸電極減少出光遮擋提高出光效率的發光二極管芯片的制作工藝，其特征在于工藝步驟如下：

1)在原有工藝下通過MOCVD等設備完成發光有源層(3)的生長制作；

2)將相應尺寸芯片發光有源層(3)四周以及一對對角刻蝕掉，深度刻蝕至襯底；

3)將刻蝕出的一對對角中的一個通過光刻膠保護起來，然后通過薄膜淀積技術，將刻蝕出的部分填充絕緣層(7)至與發光有源層(3)上表面齊平；

4)清洗發光有源層(3)上表面的雜質后，制作透明電流擴展層(5)；

5)在透明電流擴展層的上方相應的位置制作輔助電流擴展層(6)以及p型金pad(1)、n型金pad(2)；

6)表面清洗以及雜質清除；

7)將圓片劃分成單個芯片。

4.根據權利要求3所述的通過延伸電極減少出光遮擋提高出光效率的發光二極管芯片的制作工藝，其特征在于所述步驟5)中，p型金pad(1)電極的位置對應于填充有絕緣層(7)角位置上的透明電流擴展層(5)上表面，輔助電流擴展層(6)在四周填充好絕緣層(7)的透明電流擴展層(5)上方。