[發(fā)明專利]集成靜電放電器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810040570.8
• 申請(qǐng)日: 2008-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN101630683A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉志綱;俞大立;李全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/04
• 分類號(hào): H01L27/04;H01L21/8249
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李 麗

1.一種半導(dǎo)體器件，所述器件包括：

半導(dǎo)體襯底，包括表面區(qū)域，所述半導(dǎo)體襯底具有第一導(dǎo)電類型；

阱區(qū)，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)，所述阱區(qū)具有第二導(dǎo)電類型，所述阱區(qū)還具有第一厚度；

第一輕摻雜漏極區(qū)，位于所述阱區(qū)內(nèi)，所述第一輕摻雜漏極區(qū)具有第一導(dǎo)電類型，所述第一輕摻雜漏極區(qū)具有第二厚度；

發(fā)射極區(qū)，位于所述第一輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)，所述發(fā)射極區(qū)具有第二導(dǎo)電類型；

漏極區(qū)，位于所述第一輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)，所述漏極區(qū)具有第一導(dǎo)電類型；

第二輕摻雜漏極區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型且位于所述阱區(qū)內(nèi)，所述第二輕摻雜漏極區(qū)與所述第一輕摻雜漏極區(qū)之間由溝道區(qū)分開；

源極區(qū)，位于第所述二輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)，所述源極區(qū)具有第一導(dǎo)電類型；

柵電介質(zhì)層，覆蓋于所述表面區(qū)上；

柵極層，覆蓋于所述柵電介質(zhì)層上；以及

輸出端子，耦合至所述漏極區(qū)和發(fā)射極區(qū)上；

其中，所述第一輕摻雜漏極區(qū)、阱區(qū)以及襯底與第一雙極晶體管相關(guān)聯(lián)，所述第一雙極晶體管具有第一觸發(fā)電壓；

其中，所述發(fā)射極區(qū)、第一輕摻雜漏極區(qū)以及阱區(qū)與第二雙極晶體管相關(guān)聯(lián)，所述第二雙極晶體管具有第二觸發(fā)電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為硅基半導(dǎo)體襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型、第二導(dǎo)電類型為N型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型、第二導(dǎo)電類型為P型。?

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一厚度為3μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二厚度為0.5-1.5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二厚度為第一厚度的一半。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，選擇所述第一厚度和第二厚度以使第一觸發(fā)電壓和第二觸發(fā)電壓低于預(yù)定電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述預(yù)定電壓低于30V。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述預(yù)定電壓為10V。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二輕摻雜漏極區(qū)具有第三厚度，所述第三厚度小于第二厚度。

12.一種半導(dǎo)體器件，所述器件包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有第一導(dǎo)電類型；

阱區(qū)，形成于半導(dǎo)體襯底內(nèi)，所述阱區(qū)具有第二導(dǎo)電類型，所述阱區(qū)具有第一厚度；

MOS晶體管，所述MOS晶體管包括位于阱區(qū)內(nèi)的第一輕摻雜漏極區(qū)以及位于阱區(qū)內(nèi)的第二輕摻雜漏極區(qū)，所述MOS晶體管還包括漏極、溝道和源極，所述漏極位于所述第一輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)、且所述源極位于所述第二輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)；

發(fā)射極區(qū)，位于第一輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)，所述發(fā)射極區(qū)具有第二導(dǎo)電類型，所述第一輕摻雜漏極區(qū)具有第二厚度；

第一雙極晶體管，所述第一雙極晶體管包括發(fā)射極區(qū)、第一輕摻雜漏極區(qū)以及阱區(qū)，所述第一雙極晶體管具有第一觸發(fā)電壓；以及?

第二雙極晶體管，所述第二雙極晶體管包括第一輕摻雜漏極區(qū)、阱區(qū)以及襯底，所述第二雙極晶體管具有第二觸發(fā)電壓。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為含硅襯底。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型、第二導(dǎo)電類型為N型。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一輕摻雜漏極區(qū)的厚度約為所述阱區(qū)厚度的一半。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，選擇所述第一厚度和第二厚度以使第一觸發(fā)電壓和第二觸發(fā)電壓低于預(yù)定電壓。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述預(yù)定電壓低于30V。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述預(yù)定電壓為10V。