[發(fā)明專利]CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810040459.9
• 申請日: 2008-07-10
• 公開（公告）號: CN101319140A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發(fā)明（設計）人: 孫康;李萬萬;邢濱;王解兵
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1、一種CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，將鎘的無機鹽和(TMS)₂S溶解在膦化合物和液體石蠟的混合溶液中，超聲振蕩后，形成CdS殼前體儲備溶液；Cd前體的摩爾濃度為50-200毫摩爾/升，S前體的摩爾濃度為50-200毫摩爾/升；

第二步，將CdSeTe量子點加入到液體石蠟中，使CdSeTe量子點的摩爾濃度為8.33-16.67毫摩爾/升，形成CdSeTe量子點溶液；

第三步，將CdSeTe量子點溶液加熱到100℃-180℃，然后將CdS殼前體溶液逐滴加入，完畢后將反應溶液的溫度降到60℃-120℃保溫，然后將溶液冷卻到室溫，得到CdSeTe/CdS量子點溶液；

第四步，將鋅的無機鹽和(TMS)₂S溶解在膦化合物和液體石蠟的混合溶液中，超聲振蕩后，形成ZnS殼前體儲備溶液；Zn前體的摩爾濃度為50-200亳摩爾/升，S前體的摩爾濃度為50-200毫摩爾/升；

第五步，將CdSeTe/CdS量子點溶液加熱到100℃-180℃，然后將ZnS殼前體儲備溶液逐滴加入，完畢后將反應溶液的溫度降到60℃-120℃保溫，然后將溶液冷卻到室溫，得到CdSeTe/CdS/ZnS量子點溶液；

第六步，將上述獲得的量子點溶液加入沉淀劑，靜置使量子點形成絮狀沉淀，離心，去掉上層清液后將流體狀量子點沉淀溶解在溶劑中，再次離心后去掉下層沉淀，得到均勻分散在溶劑中的CdSeTe/CdS核殼型及CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點。

2、根據權利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征是，第一步中，膦化合物和液體石蠟的體積比為1∶3，膦化合物是三正辛基膦、三正丁基膦、三本基膦或十四烷基磷酸。

3、根據權利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征是，第三步中，保溫30-60分鐘。

4、根據權利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征是，第四步中，膦化合物和液體石蠟的體積比為1∶3，膦化合物是三正辛基膦、三正丁基膦、三本基膦或十四烷基磷酸。

5、根據權利要求1或4所述的CdSeTe/CdS核殼型及CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征是，第四步中，保溫30-60分鐘。

6、根據權利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征是，所述的CdSeTe/CdS核殼型量子點的熒光發(fā)射峰的范圍為630-870nm，熒光發(fā)射峰的半高寬為30-50nm，熒光量子產率為30％-80％。

7、根據權利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征是，所述的CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的熒光發(fā)射峰的范圍為650-890nm，熒光發(fā)射峰的半高寬為30-50nm，熒光量子產率為50％-85％。

8、根據權利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征是，所述的鎘的無機鹽是乙酸鎘、草酸鎘或硬脂酸鎘。

9、根據權利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征是，所述的鋅的無機鹽是硬脂酸鋅、乙酸鋅或草酸鋅。

10、根據權利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核殼殼型量子點的制備方法，其特征是，第六步中，量子點的沉淀劑是甲醇、乙醇、丙醇或丙酮，量子點的溶劑是正己烷、環(huán)己烷、氯仿、四氫呋喃或甲苯。